Документация
Транзистор биполярный BSP52T1G
У поставщика
У поставщиков
15 703 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:15 703 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 24 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 30,27 |
| от 228 | 27,86 |
| от 455 | 26,24 |
| от 1 000 | 24,83 |
| от 2 000 | 23,89 |
Описание
Транзистор биполярный BSP52T1G от ON Semiconductor — это компонент средней мощности в компактном корпусе SOT-223. Он рассчитан на ток до 1 А и напряжение до 80 В, что делает его удобным для коммутации нагрузок. Подходит для применения в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | 318E-04 |
| Тип | NPN Darlington |
| Стиль | 1 |
| Цоколевка | 1: BASE; 2: COLLECTOR; 3: EMITTER; 4: COLLECTOR |
| Корпус | SOT-223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Ordering | BSP52T1G: 1000 / Tape & Reel; BSP52T3G: 4000 / Tape & Reel |
| Компонент | BSP52T1G |
| Время спада | 365ns |
| Время нарастания | 155ns |
| Соответствие | Pb-Free, Halogen Free/BFR Free, RoHS Compliant |
| Время задержки | 205ns |
| Размеры | A: 1.50-1.75mm; D: 6.30-6.70mm; E: 3.30-3.70mm; H: 0.70mm max; L: 0.20mm min; B: 0.60-0.89mm; C: 0.24-0.35mm; E: 2.20-2.40mm; A1: 0.02-0.10mm; L1: 1.50-2.00mm; B1: 2.90-3.20mm; E1: 0.85-1.05mm; Theta: 0°-10° |
| Описание | NPN Small-Signal Darlington Transistor |
| Время хранения | 420ns |
| PnP complement | BSP62T1 |
| Время пайки | 10 Sec |
| Soldering footprint | X: 3.8mm; Y: 2.0mm; Z: 6.3mm; Pad1: 2.3mm; Pad2: 2.3mm; Pad3: 2.0mm |
| Ток коллектора Ic | 1.0A |
| Dc current gain ic150ma | 1000 |
| Dc current gain ic500ma | 2000 |
| Derate above 25 1cm2 pad | 10mW/°C |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 5.0V |
| Температура пайки макс. | 260°C |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 90V |
| Derate above 25 min footprint | 6.4mW/°C |
| Operating storage temperature | -65 to 150°C |
| Collector emitter voltage vces | 80V |
| Current gain bandwidth product | 250MHz |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 5.0V |
| Thermal resistance ja 1cm2 pad | 100°C/W |
| Напр. нас. база-эмиттер | 1.9V |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 90V |
| Emitter base cutoff current iebo | 10µA |
| Thermal resistance ja min footprint | 156°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.3V |
| Collector emitter cutoff current ices | 10µA |
| Total power dissipation ta25 1cm2 pad | 1.25W |
| Total power dissipation ta25 min footprint | 0.8W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?