+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BSP52,115
Документация

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.25 Вт

Артикул:788096
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 980 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 980 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 34 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 120,45
от 9518,40
от 18916,71
от 37815,41
от 1 00014,46
Описание

Биполярный NPN-транзистор Дарлингтона от NEXPERIA. Выдерживает напряжение до 80 В и ток до 1 А при мощности 1,25 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-223 для поверхностного монтажа. Подходит для схем управления нагрузками в промышленной автоматике и бытовой электронике.

Технические характеристики
ТипNPN Darlington transistor
Цоколевка1: base, 2: collector, 3: emitter, 4: collector
КорпусSOT-223
Тип монтажаSMD
РазмерыSOT223 outline: body width 3.3-3.7mm, body length 6.3-6.7mm, height 1.5-1.8mm, lead width 0.6-0.8mm, lead pitch 2.3mm (e1), 4.6mm (e)
Ток базы100mA
Время включения500ns (typ)
Комплементарный аналогBSP60, BSP61, BSP62
Время выключения1300ns (typ)
Коэф. усиления DC1000 (min) at IC=150mA, 2000 (min) at IC=500mA
Темп. хранения-65°C to +150°C
Collector current dc1A
Напряжение эмиттер-база5V
Темп. перехода150°C
Частота перехода200MHz (typ)
Напряжение коллектор-база60V (BSP50), 80V (BSP51), 90V (BSP52)
Ток отсечки эмиттера50nA
Peak collector current2A
Общая рассеиваемая мощность1.25W
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Ток отсечки коллектора50nA
Напряжение коллектор-эмиттер45V (BSP50), 60V (BSP51), 80V (BSP52)
Описание (англ.)TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Integrated diode and resistorДа
Темп. окр. среды-65°C to +150°C
Напр. нас. база-эмиттер1.9V (max) at IC=500mA, IB=0.5mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.3V (max) at IC=500mA, IB=0.5mA
Термосопротивление переход-среда96K/W
Тепловое сопротивление переход-пайка17K/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?