Документация
Транзистор полевой BSP317PH6327XTSA1 / P-канал, SOT-223, 0.43A, 250В
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
1 974 шт.
Норм. уп.: 1000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт59,33 ₽
Сумма889,95 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии1 974 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 15 штюрлицам и ИП
от 66 — 55,04 ₽ (−7%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 889,95 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 410,05 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
15 шт · Склад 13 · 889,95 ₽
Описание
Транзистор полевой P-канала BSP317PH6327XTSA1 от Infineon выполнен в компактном корпусе SOT-223. Компонент рассчитан на ток до 0.43 А и напряжение до 250 В, что делает его подходящим для высоковольтных схем управления и коммутации. Применяется в импульсных источниках питания, драйверах нагрузки и цепях защиты от перенапряжения.
Технические характеристики
| Цоколевка | Gate: pin 1; Drain: pin 2/4; Source: pin 3 |
| Маркировка | BSP317P |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Упаковка | Non dry |
| Лента-катушка | H6327: 1000 pcs/reel |
| Описание | SIPMOS Small-Signal-Transistor, P-Channel Enhancement mode, Logic Level |
| Артикул | BSP317P |
| Без галогенов | IEC61249-2-21 |
| Производитель | Infineon |
| Квалификация | AEC Q101 |
| Reverse diode | Время обратного восстановления: Max: 138ns; Typ: 92ns; Conditions: VR=-125V, IF=IS, diF/dt=100A/µs; Заряд обратного восстановления, Qrr: Max: 315nC; Typ: 210nC; Conditions: VR=-125V, IF=IS, diF/dt=100A/µs; Inverse diode forward voltage vsd: Max: -1.2V; Typ: -0.84V; Conditions: VGS=0, IF=-0.43A; Inverse diode direct current pulsed ism: Max: -1.72A; Inverse diode continuous forward current is: Max: -0.43A; Conditions: TA=25°C |
| Статические характеристики | Пороговое напряжение затвора (Vgs th): Max: -2V; Min: -1V; Typ: -1.5V; Conditions: VGS=VDS, ID=-370µA; Ток утечки затвор-исток IGSS: Max: -100nA; Typ: -10nA; Conditions: VGS=-20V, VDS=0; Ток стока при нулевом затворе IDSS: Tj25: Max: -0.2µA; Typ: -0.1µA; Tj150: Max: -100µA; Typ: -10µA; Conditions: VDS=-250V, VGS=0; Напряжение пробоя сток-исток (VBR DSS): Min: -250V; Conditions: VGS=0, ID=-250µA; Drain source on state resistance rds on vgs10: Max: 4Ω; Typ: 3Ω; Conditions: VGS=-10V, ID=-0.43A; Drain source on state resistance rds on vgs4 5: Max: 5Ω; Typ: 3.3Ω; Conditions: VGS=-4.5V, ID=-0.39A |
| Динамические характеристики | Время спада: Max: 100ns; Typ: 67ns; Conditions: VDD=-30V, VGS=-10V, ID=-0.43A, RG=6Ω; Время нарастания: Max: 16.6ns; Typ: 11.1ns; Conditions: VDD=-30V, VGS=-10V, ID=-0.43A, RG=6Ω; Крутизна (Gfs): Min: 0.38S; Typ: 0.76S; Conditions: |VDS|≥2*|ID|*RDS(on)max, ID=-0.34A; Входная ёмкость Ciss: Max: 262pF; Typ: 210pF; Conditions: VGS=0, VDS=-25V, f=1MHz; Выходная ёмкость Coss: Max: 37pF; Typ: 30pF; Conditions: VGS=0, VDS=-25V, f=1MHz; Задержка включения (td on): Max: 8.5ns; Typ: 5.7ns; Conditions: VDD=-30V, VGS=-10V, ID=-0.43A, RG=6Ω; Задержка выключения: Max: 381ns; Typ: 254ns; Conditions: VDD=-30V, VGS=-10V, ID=-0.43A, RG=6Ω; Обратная проходная ёмкость (Crss): Max: 16.7pF; Typ: 13.4pF; Conditions: VGS=0, VDS=-25V, f=1MHz |
| Тепл. хар-ки | Тепловое сопротивление переход-точка пайки: Max: 25K/W; Typ: 15K/W; Thermal resistance junction ambient rthja 6cm2 cooling: Max: 70K/W; Typ: 48K/W; Thermal resistance junction ambient rthja min footprint: Max: 115K/W; Typ: 80K/W |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Предельные значения | Класс ESD: Class 1b JESD22-A114-HBM; dV/dt обратного диода: 6kV/µs; Климатическая категория IEC: 55/150/56; Напряжение затвор-исток, В: ±20V; Напряжение сток-исток, В: -250V; Power dissipation ptot ta25: 1.8W; Pulsed drain current id puls: -1.72A; Рабочая и температура хранения: -55... +150°C; Continuous drain current id ta25: -0.43A; Continuous drain current id ta70: -0.34A |
| Gate charge characteristics | Общий заряд затвора Qg: Max: -15.1nC; Typ: -11.6nC; Conditions: VDD=-200V, ID=-0.43A, VGS=0 to -10V; Заряд затвор-сток Qgd: Max: -5.2nC; Typ: -4nC; Conditions: VDD=-200V, ID=-0.43A; Заряд затвор-исток Qgs: Max: -0.65nC; Typ: -0.5nC; Conditions: VDD=-200V, ID=-0.43A; Напряжение плато затвора Vplateau: Typ: -2.8V; Conditions: VDD=-200V, ID=-0.43A |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 250V 0.43A Automotive |
Заметили ошибку в описании или параметрах?