Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.68A
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
903 шт.
Норм. уп.: 1000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт72,19 ₽
Сумма721,90 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии903 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 10 штюрлицам и ИП
от 11 — 70,63 ₽ (−2%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 721,90 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 578,10 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
10 шт · Склад 13 · 721,90 ₽
Описание
Транзистор MOSFET P-канального типа от Infineon. Работает при напряжении до 100 В и токе до 0,68 А, выпускается в компактном корпусе SOT-223. Подходит для применения в автомобильной электронике и промышленных устройствах.
Технические характеристики
| Tf | 25.9ns typ, 38.9ns max |
| Tr | 7.5ns typ, 11.2ns max |
| GFS | 0.5S min, 1S typ |
| Заряд затвор-сток | -1.87nC typ, -2.8nC max |
| Заряд затвор-исток | -0.2nC typ, -0.3nC max |
| Заряд обратного восстановления | 56.3nC typ, 70.4nC max |
| TRR | 44.2ns typ, 55.3ns max |
| Vsd | -0.85V typ, -1.2V max |
| Ciss | 117pF typ, 146pF max |
| Coss | 27.7pF typ, 34.5pF max |
| Crss | 12pF typ, 15pF max |
| IGSS | -10nA typ, -100nA max |
| Rthjs | 15K/W typ, 25K/W max |
| Td(вкл) | 4.7ns typ, 7ns max |
| Td(выкл) | 67.4ns typ, 101ns max |
| Макс. Tj | +150°C |
| Tj мин. | -55°C |
| Пороговое напряжение затвор-исток | -1V min, -1.5V typ, -2V max |
| Маркировка | BSP316P |
| Корпус | PG-SOT223-4-1 |
| Макс. Vds | -100V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Aec q101 | Qualified |
| Вывод затвора | 1 |
| Ток I DSS, 25 °C | -0.1µA typ, -0.2µA max |
| Тип монтажа | SMD |
| Общий заряд затвора | -5.1nC typ, -6.4nC max |
| Макс. Tstg | +150°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| Класс ESD | Class 1a (JESD22-A114-HBM) |
| Ток стока импульсный | -2.72A |
| Iсс, 150 °C | -10µA typ, -100µA max |
| Упаковка | Tape and Reel, 1000 pcs/reel |
| Кол-во выводов | 4 |
| Drain pins | 2/4 |
| Pd макс. 25°C | 1.8W |
| Rthja 6cm2 | 48K/W typ, 70K/W max |
| Вывод истока | 3 |
| Описание | SIPMOS Small-Signal-Transistor P-Channel Enhancement Mode Logic Level |
| Номинальное dv/dt | 6kV/µs |
| Артикул | BSP316P |
| Vgs plateau | -2.7V typ |
| Тип канала | P-канал |
| Без галогенов | Yes (IEC61249-2-21) |
| Производитель | Infineon Technologies |
| RDS(on) при VGS 10 В | 1.4Ω typ, 1.8Ω max |
| RDS(on) при VGS 4,5 В | 1.5Ω typ, 2.3Ω max |
| Климатическая категория | 55/150/56 (DIN IEC 68-1) |
| Ток стока непрерывный 25C | -0.68A |
| Непрерывный ток стока 70°C | -0.54A |
| Rthja min footprint | 80K/W typ, 115K/W max |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 100V 0.68A Automotive |
Заметили ошибку в описании или параметрах?