Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
310 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:310 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 87,81 |
| от 24 | 81,47 |
| от 48 | 76,29 |
| от 95 | 72,43 |
| от 189 | 69,54 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от Nexperia. Работает при напряжении до 30 В и токе до 3 А, выпускается в компактном корпусе SOT-223. Подходит для цепей управления питанием и коммутации в бытовой электронике.
Технические характеристики
| I d max | 3A |
| I s max | 1.5A |
| Корпус | SOT223 |
| Q g max | 25nC |
| Q g typ | 10nC |
| T j max | 150°C |
| I dm max | 12A |
| I sm max | 6A |
| Тип монтажа | SMD |
| Q gd typ | 3nC |
| Q gs typ | 1nC |
| R th j a | 75K/W |
| R th j s | 10K/W |
| T on max | 80ns |
| T rr max | 200ns |
| T rr typ | 150ns |
| V ds max | 30V |
| V gs max | 20V |
| V sd max | 1.6V |
| Y fs min | 1S |
| Y fs typ | 2S |
| C iss typ | 250pF |
| C oss typ | 140pF |
| C rss typ | 50pF |
| I dss max | 100nA |
| I gss max | 100nA |
| P tot max | 5W |
| T off max | 140ns |
| T stg max | 150°C |
| T stg min | -65°C |
| Описание | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| Артикул | BSP250 |
| V gs th max | 2.8V |
| V gs th min | 1V |
| R dson max vgs 10v | 0.25Ω |
| R dson typ vgs 10v | 0.22Ω |
| R dson max vgs 4 5v | 0.4Ω |
| R dson typ vgs 4 5v | 0.33Ω |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?