Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 225мА
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
795 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:795 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 68,31 |
| от 18 | 67,02 |
| от 36 | 65,31 |
| от 71 | 62,89 |
| от 141 | 59,95 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от Nexperia. Рабочее напряжение до 250 В при токе 225 мА, корпус SOT-223. Подходит для цепей управления питанием и коммутации нагрузки в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Сопротивление сток-исток | 15Ω |
| Корпус | SOT223 |
| Кол-во выводов | 4 |
| Размеры | Ширина: 3.7mm; Высота: 1.8mm; Длина: 6.7mm |
| Технология | MOSFET |
| Описание | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| Артикул | BSP225 |
| Channel type | P-channel |
| Производитель | Nexperia |
| Время включения | 10ns |
| Тип монтажа | SMD |
| Время выключения | 30ns |
| Vgs threshold | 2.8V |
| Drain current dc | 225mA |
| Вх. емкость | 90pF |
| Рассеиваемая мощность | 1.5W |
| Rds on conditions | ID=200mA, VGS=10V |
| Drain current peak | 600mA |
| Выходная емкость | 30pF |
| Gate source leakage | 100nA |
| Напряжение затвор-исток | 20V |
| Transfer admittance | 200mS |
| Drain source leakage | 1µA |
| Напряжение сток-исток | 250V |
| Feedback capacitance | 15pF |
| Темп. перехода | 150°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Vgs threshold conditions | ID=1mA, VGS=VDS |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Диап. раб. темп. | -65°C to +150°C |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223 |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 83.3K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?