Документация
Транзистор полевой BSP170PH6327XTSA1 / P-канал, SOT-223, 1.9А, 60В
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
3 163 шт.
Норм. уп.: 1000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт62,45 ₽
Сумма936,75 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии3 163 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 15 штюрлицам и ИП
от 57 — 58,06 ₽ (−7%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 936,75 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 363,25 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
15 шт · Склад 13 · 936,75 ₽
Описание
Транзистор полевой BSP170PH6327XTSA1 производства Infineon — это P-канальный MOSFET в компактном корпусе SOT-223. Компонент рассчитан на ток до 1,9 А и напряжение сток-исток 60 В, что делает его подходящим для коммутации нагрузки и управления питанием. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и высокой скорости переключения применяется в цепях защиты от обратной полярности, DC/DC-преобразователях и портативной электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-канальный MOSFET |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Класс ESD | 1A (250V to 500V) |
| Артикул | BSP170PH6327XTSA1 |
| Без галогенов | Да |
| Макс. время спада | 90ns |
| Тип. время спада | 60ns |
| Макс. время нарастания | 42ns |
| Тип. время нарастания | 28ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Макс. R вкл. | 300mΩ |
| Сопротивление во включенном состоянии, тип. | 239mΩ |
| Рассеиваемая мощность | 1.8W |
| AEC-Q101 | Да |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Импульсный ток стока | -7.6A |
| Крутизна, мин. | 1.3S |
| Тип. крутизна | 2.6S |
| Напряжение сток-исток | -60V |
| Capacitance input max | 410pF |
| Capacitance input typ | 328pF |
| Заряд затвор-сток, макс. | -7.4nC |
| Gate charge drain typ | -4.9nC |
| Общий заряд затвора, макс. | -14nC |
| Общий заряд затвора, тип. | -10nC |
| Температура пайки | 260°C |
| Пороговое напряжение, макс. | -4V |
| Пороговое напряжение, мин. | -2.1V |
| Пороговое напряжение, тип. | -3V |
| Capacitance output max | 135pF |
| Capacitance output typ | 105pF |
| Заряд затвор-исток, макс. | -1.9nC |
| Тип. заряд затвора-истока | -1.4nC |
| Время вкл. макс. | 21ns |
| Время задержки вкл. тип. | 14ns |
| Энергия лавины (одиночная) | 70mJ |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Макс. время выключения | 138ns |
| Время задержки выкл. тип. | 92ns |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Непрерывный ток стока | -1.9A |
| Напряжение плато затвора, тип. | -4.34V |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Макс. время обрат. восстановления | 54ns |
| Тип. время восст. | 36ns |
| Импульсный ток обратного диода | -7.6A |
| Макс. заряд обратного восстановления | 62nC |
| Тип. заряд восст. | 41nC |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| Avalanche energy periodic max | 0.18mJ |
| Макс. ток утечки затвор-исток | -100nA |
| Capacitance reverse transfer max | 48pF |
| Capacitance reverse transfer typ | 38pF |
| Постоянный ток обратного диода | -1.98A |
| Прямое напряжение обратного диода, макс. | -1.1V |
| Прямое напряжение обратного диода, тип. | -0.83V |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | -60V |
| Термосопротивление переход-припой | 20K/W |
| Zero gate voltage drain current max 25C | -1µA |
| Тепловое сопротивление переход-среда, 6 см² | 70K/W |
| Zero gate voltage drain current max 125C | -100µA |
| Thermal resistance junction ambient minimal | 110K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?