Документация
Транзистор BSP149H6327
У поставщика
У поставщиков
996 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:996 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 82,78 |
| от 29 | 76,57 |
| от 57 | 71,50 |
| от 114 | 67,70 |
| от 227 | 64,87 |
Описание
Транзистор BSP149H6327 производства Infineon — это мощный P-канальный полевой МОП-транзистор с изолированным затвором. Компонент оптимизирован для коммутации нагрузок и управления питанием в компактных устройствах. Отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой эффективностью переключения. Применяется в DC/DC-преобразователях, цепях защиты от переполюсовки и портативной электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Depletion Mode MOSFET |
| Маркировка | BSP149 |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Esd class | 1B (>500, <600) |
| Dv dt rated | Да |
| Артикул | BSP149H6327 |
| Dv dt rating | 6 kV/µs |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | Infineon |
| Aec qualified | Да |
| Макс. время спада | 31ns |
| Тип. время спада | 21ns |
| Макс. время нарастания | 5.1ns |
| Тип. время нарастания | 3.4ns |
| Тип компонента | N-channel Depletion mode MOSFET |
| Соотв. RoHS | Да |
| Рассеиваемая мощность | 1.8W |
| AEC-Q101 | Да |
| Package lead pitch | 2.3mm |
| Diode pulse current | 2.6A |
| Импульсный ток стока | 2.6A |
| Transconductance min | 0.4S |
| Transconductance typ | 0.8S |
| Gate charge total max | 14nC |
| Gate charge total typ | 11nC |
| Gate drain charge max | 8.4nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 5.6nC |
| Входная емкость макс. | 430pF |
| Тип. входная емкость | 326pF |
| Gate source charge max | 1.0nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 0.74nC |
| Макс. выходная емкость | 55pF |
| Выходная емкость тип. | 41pF |
| Tape and reel quantity | 1000 pcs/reel |
| Время вкл. макс. | 7.7ns |
| Время задержки вкл. тип. | 5.1ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Threshold voltage bands | J, K, L, M, N |
| Макс. время выключения | 68ns |
| Время задержки выкл. тип. | 45ns |
| Макс. напряжение сток-исток | 200V |
| Gate leakage current max | 10nA |
| Gate plateau voltage typ | 0.16V |
| Package dimensions width | 3.5mm |
| Напр. диода макс. | 1.2V |
| Тип. прямое напряжение диода | 0.9V |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Package dimensions height | 1.6mm |
| Package dimensions length | 6.5mm |
| Макс. время обрат. восстановления | 65ns |
| Тип. время восст. | 42ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -1V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -2.1V |
| Тип. пороговое Uзи | -1.4V |
| On state drain current min | 140mA |
| Reverse diode dv dt rating | 6kV/µs |
| Reverse recovery charge max | 90nC |
| Тип. заряд восст. | 60nC |
| Total power dissipation 25c | 1.8W |
| Длительный ток стока 25°C | 0.66A |
| Continuous drain current 70c | 0.53A |
| Drain cutoff current max 25c | 0.1µA |
| Gate threshold voltage bands | J: -1.2V to -1.0V; K: -1.35V to -1.15V; L: -1.5V to -1.3V; M: -1.65V to -1.45V; N: -1.8V to -1.6V |
| Gate threshold voltage range | -2.1V to -1.0V |
| Drain cutoff current max 125c | 5µA |
| Напряжение пробоя сток-исток | 200V |
| Gate source leakage current max | 10nA |
| Diode continuous forward current | 0.66A |
| Reverse transfer capacitance max | 25pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 17pF |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 200V |
| Drain source cutoff current 25c max | 0.1µA |
| Drain source cutoff current 125c max | 5µA |
| Drain source on resistance max vgs 0v | 3.5Ω |
| Drain source on resistance max vgs 10v | 1.8Ω |
| Drain source on resistance max vgs0 id70ma | 3.5Ω |
| Тепловое сопротивление переход-пайка | 25K/W |
| Drain source on resistance max vgs10 id660ma | 1.8Ω |
| Thermal resistance junction to ambient 6cm2 cu | 70 K/W |
| Thermal resistance junction to ambient 6cm2 cooling | 70K/W |
| Thermal resistance junction to ambient minimal footprint | 115K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?