+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BSP130,115
Документация

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 350мА, 1.5Вт

Артикул:788075
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
144 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:144 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1476,49
от 6449,77
от 12428,00
от 23411,82
от 46399,77
Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от Nexperia. Работает при напряжении до 300 В, токе до 350 мА и рассеивает мощность 1,5 Вт, выпускается в компактном корпусе SOT-223. Подходит для применения в импульсных источниках питания и схемах управления нагрузкой в промышленной автоматике.

Технические характеристики
ТипN-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
КорпусSOT223
Тип монтажаSMD
КомпонентBSP130
Размеры6.7x3.7x1.8mm
Lead count4
Rds(вкл) тип.3.7Ω (I_D=250mA, V_GS=10V)
Код маркировкиBSP130
Rds on max 16Ω (I_D=250mA, V_GS=10V)
Rds on max 210Ω (I_D=20mA, V_GS=2.4V)
Current drain max350mA
Рассеиваемая мощность1.5W
Current drain peak1.4A
Capacitance input max120pF
Capacitance input typ100pF
Switching time on max10ns
Capacitance output max30pF
Capacitance output typ21pF
Switching time off max60ns
Transfer admittance min200mS
Transfer admittance typ690mS
Voltage gate source max20V
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Capacitance feedback max15pF
Capacitance feedback typ10pF
Макс. темп. перехода150°C
Voltage drain source max300V
Диап. темп. хр.-55 to 150°C
Пороговое напряжение затвора макс.2V
Пороговое напряжение затвора мин.0.8V
Описание (англ.)MOSFET N-CH 300V 350MA SC73
Gate source leakage current max100nA
Drain source leakage current max100nA
Мин. напряжение сток-исток пробоя300V
Термосопротивление переход-среда83.3 K/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?