Документация
BSC117N08NS5ATMA1
У поставщика
ПроизводительInfineon
У поставщиков
500 шт.
Цены поставщиков
Склад 38
В наличии:500 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 84,68 |
Описание
BSC117N08NS5ATMA1 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор от Infineon Technologies, выполненный в компактном SMD-корпусе для поверхностного монтажа. Компонент относится к серии OptiMOS и предназначен для применения в схемах с высокими требованиями к эффективности переключения. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и высокой скорости коммутации, транзистор подходит для использования в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и системах управления нагрузкой.
Технические характеристики
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Описание | MOSFET N-CH 80V 49A TDSON |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 22µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 25A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 49A (Tc) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?