+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BSC093N15NS5ATMA1
Документация

Полевой MOSFET транзистор N-канальный 150В 87А 9,3мОм SuperSO8

Артикул:852253
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 609 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 609 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 6 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1129,28
от 30121,42
от 60115,17
от 119109,69
от 238105,98
Описание

Полевой MOSFET транзистор N-канального типа от Infineon. Выдерживает напряжение до 150 В и ток до 87 А при сопротивлении открытого канала всего 9,3 мОм, что обеспечивает высокую эффективность. Выполнен в компактном корпусе SuperSO8. Подходит для импульсных источников питания и преобразователей в промышленной и телекоммуникационной технике.

Технические характеристики
ТипN-channel MOSFET
Id max87A
Pd макс.139W
Макс. заряд затвора40.7nC
Тип. заряд затвора33nC
Rg max1.4Ω
Rg typ0.9Ω
Tf тип.3.8ns
Tr тип.4.3ns
Eas max130mJ
Gfs min34S
Gfs тип.67S
КорпусPG-TDSON-8 (SuperSO8)
Qgd max10.2nC
Qgd тип.6.8nC
Qgs тип.14nC
Qrr max116nC
Qrr тип.58nC
Qsw typ13.4nC
Макс. время обратного восстановления98ns
Trr тип.49ns
Макс. Vds150V
Макс. Vgs±20V
Ciss max3230pF
Тип. Ciss2430pF
Coss max803pF
Coss тип.604pF
Crss max26pF
Тип. Crss15pF
Idss макс.100µA
Igss макс.100nA
Тип монтажаSMD
Qoss max121nC
Qoss typ91nC
V sd max1.2V
V sd typ0.88V
Td(вкл) тип.14ns
Rds(вкл) макс.9.3mΩ
Td(выкл) тип.14.4ns
Vgs порог макс.4.6V
Vgs порог мин.3.0V
Vgs(th) тип.3.8V
АртикулBSC093N15NS5ATMA1
Vbd dss min150V
Id pulse max348A
Rds on typ 8v8.7mΩ
Id max tc 100c75A
Rds on typ 10v7.9mΩ
Qs gate plateau typ5.7V
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Диап. темп. хр.-55°C to 150°C
Диап. раб. темп.-55°C to 150°C
Описание (англ.)N-CH 150V 87A 9,3mOhm SuperSO8
Тепловое сопротивление переход-среда50K/W
Thermal resistance junction case max0.9K/W
Thermal resistance junction case typ0.54K/W
Напряжение, В150
Ток, А93

Заметили ошибку в описании или параметрах?