Документация
BS62LV2565SI-55,bsi,SO-28 (арт. 015833)
У поставщика
Производитель<>
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
111 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:111 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 25
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,39 |
Описание
BS62LV2565SI-55 — статическое ОЗУ (SRAM) производства BSI (Bridgold Semiconductor) в корпусе SO-28. Обладает ёмкостью 256 Кбит и временем доступа 55 нс, что обеспечивает высокую скорость работы. Применяется в системах, требующих энергонезависимого хранения данных при низком энергопотреблении, например в промышленной автоматике и встраиваемых решениях.
Технические характеристики
| Тип | SRAM |
| Корпус | SOP-28 |
| Особенности | very low power, automatic power down, three-state outputs, TTL compatible |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 28 |
| Технология | CMOS |
| Артикул | BS62LV2565SI-55 |
| Класс скорости | -55 |
| Truth table | provided |
| Макс. напряжение | 5.5V |
| Напряжение мин. | 4.5V |
| Производитель | bsi |
| Организация | 32K x 8 bit |
| Корпус | SO-28 |
| Монтаж | SMD |
| Ширина корпуса | 330mil |
| Access time ns | 55ns |
| Макс. температура | +85°C |
| Температура мин. | -40°C |
| Voltage typical | 5.0V |
| Io capacitance max | 8pF |
| Макс. ток питания | 40mA |
| Макс. ток дежурного режима | 2.0uA |
| Напряжение | 2.7 В |
| Dc output current max | 20mA |
| Входная емкость макс. | 6pF |
| Вх. низ. напр. макс. | 0.8V |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.0W |
| Вх. выс. напр. мин. | 2.2V |
| Низ. напр. вых. макс. | 0.4V |
| Мин. выходное высокое напряжение | 2.4V |
| Типовой ток в режиме ожидания | 0.4uA |
| Макс. ток утечки входа | 1uA |
| Data retention current max | 0.40uA |
| Data retention voltage min | 1.5V |
| Макс. ток утечки | 1uA |
| Data retention current typical | 0.01uA |