Документация
Описание
Фотодиод BPW34FAS-Z от OSRAM — кремниевый PIN-фотодиод со встроенным дневным фильтром. Выполнен в миниатюрном SMD-корпусе DIL SMT с чёрным эпоксидным компаундом, имеет угол обзора 60° и спектральный диапазон 730–1100 нм. Благодаря быстрому времени нарастания и спада 0,02 мкс подходит для оптических датчиков, систем управления освещением и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Тип | Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter |
| Вес | 43.0 mg |
| Корпус | DIL SMT, black epoxy |
| Тип монтажа | SMD |
| Уровень MSL | 4 |
| Half angle | 60 ° |
| Тип. время спада | 0.02 µs |
| Код заказа | Q65110A3121 |
| Quantum yield | 0.93 Electrons/Photon (λ = 870 nm) |
| Тип. время нарастания | 0.02 µs |
| Spectral range | 730 ... 1100 nm |
| Capacitance typ | 72 pF (V_R = 0 V, f = 1 MHz) |
| Detection limit | 6.8e12 cm·√Hz/W (V_R = 10 V, λ = 870 nm) |
| Active chip area | 2.65 x 2.65 mm |
| Dark current max | 30 nA (V_R = 10 V) |
| Dark current typ | 2 nA |
| Photocurrent min | 40 µA (E_e = 1 mW/cm², λ = 870 nm, V_R = 5 V) |
| Photocurrent typ | 50 µA (E_e = 1 mW/cm², λ = 870 nm, V_R = 5 V) |
| Оплавление пайки | Да |
| Типовое прямое напряжение | 1.3 V (I_F = 100 mA) |
| Макс. обратное напряжение | 16 V |
| Напряжение ЭСР | 2 kV |
| Noise equivalent power | 0.039 pW/√Hz (V_R = 10 V, λ = 870 nm) |
| Radiant sensitive area | 7.02 mm² |
| Макс. темп. хр. | 100 °C |
| Мин. темп. хр. | -40 °C |
| Open circuit voltage min | 250 mV |
| Open circuit voltage typ | 320 mV (E_e = 0.5 mW/cm², λ = 870 nm) |
| Макс. раб. темп. | 100 °C |
| Мин. раб. темп. | -40 °C |
| Reverse voltage max short | 32 V (t ≤ 2 min) |
| Short circuit current typ | 23 µA (E_e = 0.5 mW/cm², λ = 870 nm) |
| Spectral sensitivity chip | 0.65 A/W (λ = 870 nm) |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 150 mW |
| Wavelength of max sensitivity | 880 nm |
| Temperature coefficient of voltage | -2.6 mV/K |
| Temperature coefficient of short circuit current | 0.03 %/K (λ = 870 nm) |