Документация
Фоторезистор BPW17N
У поставщика
У поставщиков
779 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:779 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 52,26 |
| от 25 | 51,11 |
| от 49 | 49,54 |
| от 98 | 47,38 |
| от 196 | 44,92 |
Описание
Фоторезистор BPW17N от Vishay — это высокочувствительный фотодиод. Устройство работает в широком спектральном диапазоне и отличается быстрым временем отклика. Компонент применяется в системах автоматического управления освещением, датчиках приближения и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | Фотодиоды |
| Тип | Silicon NPN Phototransistor |
| Тип монтажа | THT |
| Шаг выводов | 2.54mm |
| Package form | T-¾ |
| Тип упаковки | leaded |
| Время включения тип. | 4.8µs |
| Описание | Phototransistors T-.75 450 to 1040nm +/-12 deg |
| Время выкл. тип. | 5.0µs |
| Размеры упаковки | Ø1.8mm x 5.0mm |
| Время пайки макс. | 3s |
| Спектральная ширина | 450 to 1040nm |
| Time test condition | Vce=5V, Ic=5mA, RL=100Ω |
| Макс. ток коллектора | 50mA |
| Cut off frequency typ | 120kHz |
| Макс. рассеиваемая мощность | 100mW |
| Light current condition | Ee=1mW/cm², λ=950nm, Vce=5V |
| Frequency test condition | Vce=5V, Ic=5mA, RL=100Ω |
| Макс. темп. перехода | 100°C |
| Angle of half sensitivity | ±12° |
| Температура пайки макс. | 260°C |
| Диап. темп. хр. | -40 to +100°C |
| Темновой ток коллектора макс. | 200nA |
| Collector dark current typ | 1nA |
| Collector peak current max | 100mA |
| Collector light current min | 0.5mA |
| Collector light current typ | 1.0mA |
| Диап. раб. темп. | -40 to +100°C |
| Saturation voltage condition | Ic=0.1mA, Ee=1mW/cm² |
| Макс. напр. К-Э | 32V |
| Макс. Uэк | 5V |
| Wavelength of peak sensitivity | 825nm |
| Collector emitter capacitance typ | 8pF |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 450K/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3V |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 32V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?