Документация
Фотодиоды BPV22NF
У поставщика
У поставщиков
6 179 шт.
Норм. уп.: 4000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:6 179 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 53,66 |
Описание
Фотодиод BPV22NF производства Vishay предназначен для приёма инфракрасного излучения в системах дистанционного управления и оптической связи. Компонент выполнен в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа, что обеспечивает компактность конечных устройств. Отличается высокой чувствительностью в ближнем ИК-диапазоне и быстрым временем отклика, подходит для бытовой электроники и промышленных датчиков.
Технические характеристики
| Тип | Фотодиод |
| Тип монтажа | сквозное отверстие |
| Соответствие | RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC |
| Размеры | 4.5mm x 5mm x 6mm |
| Detectivity | 6e12 cm√Hz/W |
| Lead options | standard or long leads (BPV22NFL) |
| Package form | side view |
| Тип упаковки | leaded, side view, plastic |
| Корпус | 5 мм |
| Монтаж | Выводной |
| Размеры мм | 4.5 x 5 x 6 |
| Тип. время спада | 100ns |
| Тип. время нарастания | 100ns |
| Диаметр | 5 мм |
| Пиковая длина волны | 940nm |
| Спектральная ширина | 790nm to 1050nm |
| Макс. прямой ток | 50mA |
| Макс. прямое напряжение | 1.3V |
| Типовое прямое напряжение | 1V |
| Макс. обратное напряжение | 60V |
| Мин. пробойное напр. | 60V |
| Diode capacitance typ | 70pF |
| Макс. рассеиваемая мощность | 215mW |
| Serial resistance typ | 400Ω |
| Noise equivalent power | 4e-14 W/√Hz |
| Quantum efficiency typ | 90% |
| Radiant sensitive area | 7.5mm² |
| Макс. темп. хр. | 100°C |
| Мин. темп. хр. | -40°C |
| Макс. темп. перехода | 100°C |
| Open circuit voltage typ | 370mV |
| Quantum efficiency 950nm | 90% |
| Reverse dark current max | 30nA |
| Reverse dark current typ | 2nA |
| Spectral bandwidth range | 790 to 1050nm |
| Angle of half sensitivity | ±60° |
| Макс. раб. темп. | 100°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
| Reverse light current max | 85µA |
| Reverse light current min | 55µA |
| Reverse light current typ | 85µA |
| Short circuit current typ | 80µA |
| Температура пайки макс. | 260°C |
| Диап. темп. хр. | -40°C to +100°C |
| Cutoff frequency typ 870nm | 4MHz |
| Cutoff frequency typ 950nm | 1MHz |
| Radiant sensitive area mm2 | 7.5 |
| Cut off frequency typ 870nm | 4MHz |
| Cut off frequency typ 950nm | 1MHz |
| Диап. раб. темп. | -40°C to +100°C |
| Wavelength peak sensitivity | 940nm |
| Absolute spectral sensitivity 870nm | 0.57 A/W |
| Absolute spectral sensitivity 950nm | 0.6 A/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 350 K/W |
| Обратное напряжение | 60 В |
| Temperature coefficient open circuit voltage | -2.6 mV/K |
| Temperature coefficient reverse light current | 0.1 %/K |