Документация
BPV10NF
У поставщика
У поставщиков
12 434 шт.
Норм. уп.: 25
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 2срок до 2 недель
Цена за шт30,00 ₽
дешевле всех
Сумма600,00 ₽
В наличии35 шт
от 20 штюрлицам и ИП
Склад 13срок до недели
Цена за шт38,72 ₽
Сумма774,40 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии11 779 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 20 штюрлицам и ИП
от 157 — 35,95 ₽ (−7%)
20 шт · Склад 2 · 600,00 ₽
Описание
Инфракрасный фотодиод BPV10NF от Vishay. Работает в диапазоне температур от -40 до +100 °С, предназначен для монтажа в отверстия в корпусе Radial. Поставляется в упаковке REEL. Применяется в системах дистанционного управления, датчиках приближения и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | Инфракрасные |
| Цвет | инфракрасный |
| С выводами | Да |
| Вес | 0.32 |
| В упаковке | REEL, 4000 шт. |
| Корпус | Radial |
| Тип монтажа | сквозное отверстие |
| Полоса пропускания | >100 MHz |
| Компонент | BPV10NF |
| Время спада | 2.5 ns |
| Время нарастания | 2.5 ns |
| Рабочая температура | -40…+100 °С |
| Описание | Silicon PIN Photodiode |
| Обнаружительная способность | 3e12 cm√Hz/W |
| Время спада, нс | 2.5 |
| Мин. заказ (россыпь), шт. | 4000 |
| Мин. заказ (катушка), шт. | 5000 |
| Форма корпуса | T-1¾ |
| Время нарастания, нс | 2.5 |
| Полоса пропускания, МГц | > 100 at VR = 12V |
| Размеры мм | Ø 5 |
| Время пайки | ≤5 s |
| Диаметр корпуса | 5 mm |
| Емкость диода | 11 pF |
| Прямое напряжение, В | 1.0 min, 1.3 max at IF = 50mA |
| Обратное напряжение, В | 60 |
| Код заказа, россыпь | BPV10NF |
| Код заказа, катушка | BPV10NF-CS21 |
| Квантовая эффективность | 70% |
| Спектральная ширина | 790 nm to 1050 nm |
| Условия полосы пропускания | V_R = 12 V |
| Напряжение пробоя, В | 60 |
| Условия времени спада | V_R = 50 V, R_L = 50 Ω, λ = 820 nm |
| Макс. обратное напряжение | 60 V |
| Условия времени нарастания | V_R = 50 V, R_L = 50 Ω, λ = 820 nm |
| Ёмкость диода, пФ | 11 |
| Тестовый прямой ток | 50 mA |
| Выводы с зазором | Да |
| Напряжение хол. хода | 450 mV |
| Рассеиваемая мощность, мВт | 215 |
| Обратный тёмновой ток | 1 nA to 5 nA |
| Условия измерения обнаружительной способности | V_R = 20 V, λ = 950 nm |
| Макс. рассеиваемая мощность | 215 mW |
| Ток КЗ | 50 μA |
| Температура пайки | 260 °C |
| Спектральная ширина полосы, нм | 790 to 1050 |
| Температура перехода, °C | 100 |
| Эквивалентная мощность шума | 3e-14 W/√Hz |
| Площадь чувствительности | 0.78 mm² |
| Прямое напряжение типовое | 1.0 V to 1.3 V |
| Категория материала | compliance definitions available at www.vishay.com/doc?99912 |
| Напряжение холостого хода, мВ | 450 |
| Обратный тёмновой ток, нА | 1 typ, 5 max at VR = 20V |
| Температура пайки | 260 (t ≤ 5s, 2mm from body) |
| Фильтр блокировки дневного света | Да |
| Макс. темп. перехода | 100 °C |
| Обратный световой ток, мкА | 55 typ at 870nm, 30 min / 60 typ at 950nm, VR = 5V |
| Ток короткого замыкания, мкА | 50 |
| Угол половинной чувствительности | ±20° |
| Диап. темп. хр. | -40 °C to +100 °C |
| Квантовая эффективность, % | 70 |
| Площадь чувствительности, мм² | 0.78 |
| Условия ёмкости диода | V_R = 0 V, f = 1 MHz |
| Диап. раб. темп. | -40 °C to +100 °C |
| Обратный световой ток, 870 нм | 55 μA |
| Обратный световой ток, 950 нм | 30 μA to 60 μA |
| Диапазон темп. хранения °C | -40 to +100 |
| Длина волны макс. чувствительности | 940 nm |
| Обнаружительная способность, см·√Гц/Вт | 3 x 10^12 |
| Согласованная длина волны, нм | 870 to 950 |
| Условия квантовой эффективности | λ = 950 nm |
| Абсолютная спектральная чувствительность | 0.55 A/W |
| Угол половинной чувствительности, ° | ± 20 |
| Диапазон раб. температур °C | -40 to +100 |
| Условие напряжения обрыва цепи | E_e = 1 mW/cm², λ = 870 nm |
| Условия измерения темнового тока | V_R = 20 V |
| Пиковая чувствительность, нм | 940 |
| Условия измерения обратного светового тока | E_e = 1 mW/cm², V_R = 5 V |
| Условия тока КЗ | E_e = 1 mW/cm², λ = 870 nm |
| Условие эквивалентного шума | V_R = 20 V, λ = 950 nm |
| ТКС, Ira/К | -0.1 |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 350 K/W |
| Эквивалентная мощность шума, Вт/√Гц | 3 x 10^-14 |
| Абс. спектр. чувствительность, А/Вт | 0.55 |
| Условия абс. спектр. чувствительности | V_R = 5 V, λ = 870 nm |
| Тепловое сопротивление кристалл-среда, К/Вт | 350 |
| ТКС обратного тока | -0.1 %/K |
Заметили ошибку в описании или параметрах?