+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BFR93AE6327HTSA1
Документация

Транзистор BFR93AE6327HTSA1

Артикул:107213
У поставщика
ПроизводительInfineon
Ед. изм.шт
У поставщиков
9 439 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:7 939 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 46 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 115,11
от 41313,66
от 82612,67
от 1 65111,81
от 3 00011,26
Склад 12
В наличии:1 500 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1600 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 122,77
от 10018,42
от 1 00017,46
Описание

Транзистор биполярный от Infineon. Работает на высоких частотах, подходит для усиления и переключения сигналов в компактных корпусах. Применяется в радиочастотных модулях и телекоммуникационном оборудовании.

Технические характеристики
Типбиполярные
МаркировкаR2s
КорпусSOT-23
Тип монтажаSMD
Ток базы9mA
Чувствительность к ЭСРДа
Соотв. RoHSДа
Base current max9mA
Ток коллектора90mA
Конфиг. выводов1=B, 2=E, 3=C
AEC-Q101Да
Dc current gain hfe70-140
Макс. коэф. усиления DC140
Hfe мин.70
Коэффициент усиления DC тип.100
Темп. перехода150°C
1db compression point6dBm
Макс. ток коллектора90mA
Transducer gain 1 8ghz7dB
Transducer gain 900mhz12.5dB
Общая рассеиваемая мощность300mW
Граничная частота ft6GHz
Напряжение эмиттер-база макс.2V
Макс. темп. перехода150°C
Мин. частота перехода4.5GHz
Transition frequency typ6GHz
Напряжение эмиттер-база Vebo2V
Диап. темп. хр.-55°C to 150°C
Transducer gain at 1 8ghz7dB
Transducer gain at 900mhz12.5dB
Напряжение коллектор-база макс.20V
Напряжение коллектор-база Vcbo20V
Minimum noise figure 1 8ghz2.6dB
Minimum noise figure 900mhz1.5dB
Third order intercept point15dBm
Макс. общая рассеиваемая мощность300mW
Emitter base capacitance ceb1.9pF
Emitter base capacitance typ1.9pF
Макс. напр. К-Э12V
Maximum available gain 1 8ghz9.5dB
Maximum available gain 900mhz14.5dB
Collector base capacitance cob0.54pF
Collector base capacitance max0.8pF
Collector base capacitance typ0.54pF
Напряжение коллектор-эмиттер Vceo12V
Collector emitter voltage vces20V
Minimum noise figure at 1 8ghz2.6dB
Minimum noise figure at 900mhz1.5dB
Output power at 1db compression6dBm
Collector emitter capacitance ce0.25pF
Maximum available gain at 1 8ghz9.5dB
Maximum available gain at 900mhz14.5dB
Collector emitter capacitance typ0.25pF
Collector emitter voltage ces max20V
Third order intercept point output15dBm
Thermal resistance junction soldering point130 K/W
Thermal resistance junction to soldering point130K/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?