Документация
Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.05 А
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 504 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 504 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 40 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 17,72 |
| от 108 | 15,88 |
| от 215 | 14,35 |
| от 429 | 13,19 |
| от 857 | 12,34 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор BF821 от NEXPERIA. Работает при напряжении до 300 В и токе до 50 мА, рассеивает мощность до 250 мВт. Выполнен в компактном SMD-корпусе SOT23. Подходит для высоковольтных схем в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP high-voltage transistor |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| Размеры | Размах выводов: 2.5mm; Ширина корпуса: 1.4mm; Шаг выводов: 0.95mm; Высота корпуса: 1.1mm; Длина корпуса: 3.0mm |
| Применение | Telephony and professional communication equipment |
| Код маркировки | 1W* |
| Base current peak | -50mA |
| Комплементарный NPN | BF820, BF822 |
| Конфиг. выводов | 1: base; 2: emitter; 3: collector |
| Hfe мин. | 50 |
| Collector current dc | -50mA |
| Feedback capacitance | 1.6pF |
| Base current peak max | 50mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 250mW |
| Collector current peak | -100mA |
| Общая рассеиваемая мощность | 250mW |
| Макс. ток коллектора DC | 50mA |
| Напряжение эмиттер-база макс. | -5V |
| Feedback capacitance max | 1.6pF |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. частота перехода | 60MHz |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5V |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | -300V |
| Collector current peak max | 100mA |
| Напряжение коллектор-база макс. | 300V |
| Emitter base cutoff current | -50nA |
| Ток отсечки коллектор-база | -10nA |
| Макс. напр. К-Э | -300V |
| Напряжение коллектор-эмиттер макс. | 300V |
| Макс. ток отсечки эмиттер-база | 50nA |
| Макс. ток отсечки К-Б | 10nA |
| Диапазон темп. окр. | -65 to +150°C |
| Collector base cutoff current at 150c | -10µA |
| Collector base cutoff current max 150c | 10µA |
| Термосопротивление переход-среда | 500K/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 800mV |
Заметили ошибку в описании или параметрах?