+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BF820W,115
Документация

Биполярный транзистор NPN 300В 50мА 200мВт Кус не менее 50 60МГц

Артикул:827502
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
255 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:255 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 156 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 14,46
от 804,00
от 1323,59
от 2633,30
от 5253,07
Описание

Биполярный NPN-транзистор от NEXPERIA. Выдерживает напряжение до 300 В, ток до 50 мА и мощность 200 мВт, работает на частоте до 60 МГц. Выпускается в компактном корпусе SOT-323. Подходит для применения в автомобильной электронике и промышленной автоматике.

Технические характеристики
Контактов3
Цоколевка1=base, 2=emitter, 3=collector
КорпусSOT323 (SC-70)
Тип монтажаSMD
РазмерыA: 0.8-1.1mm; A1: 0-0.1mm; bp: 0.25-0.4mm; c: 0.1-0.25mm; D: 1.8-2.2mm; E: 1.15-1.35mm; e: 1.3mm; e1: 0.65mm; HE: 2.0-2.2mm; Lp: 0.15-0.45mm
АртикулBF820W,115
Тип транзистораNPN high-voltage transistor
Peak base current50mA
Dc current gain hfe50 min (IC=25mA, VCE=20V)
Collector current dc50mA
Peak collector current100mA
Общая рассеиваемая мощность200mW
Граничная частота ft60MHz min (IC=10mA, VCE=10V, f=100MHz)
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Feedback capacitance cre1.6pF max (VCB=30V, f=1MHz)
Макс. темп. перехода150°C
Напряжение эмиттер-база Vebo5V
Диап. темп. хр.-65°C to +150°C
Напряжение коллектор-база Vcbo300V
Ток отсечки эмиттера Iebo50nA max (VEB=5V)
Диап. раб. темп.-65°C to +150°C
Описание (англ.)NPN 300V 0.05A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Ток отсечки коллектора Icbo10nA max (VCB=200V); 10µA max at Tj=150°C
Напряжение коллектор-эмиттер Vceo300V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер600mV max (IC=30mA, IB=5mA)
Термосопротивление переход-среда625K/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?