+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BF820,215
Документация

Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.05 А, 0.25 Вт

Артикул:773887
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
9 352 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:9 352 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 42 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 116,82
от 18815,20
от 37613,90
от 75112,79
от 1 50112,05
Описание

Биполярный транзистор NPN от NEXPERIA. Выдерживает напряжение до 300 В, ток до 0,05 А и мощность 0,25 Вт, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для применения в промышленной автоматике и бытовой электронике.

Технические характеристики
ТипNPN high-voltage transistor
КорпусSOT23
Тип монтажаSMD
РазмерыA: 0.9-1.1mm; D: 2.8-3.0mm; E: 1.2-1.4mm; Q: 0.15-0.45mm; C: 0.09-0.15mm; E: 1.9mm; V: 0.2mm; W: 0.1mm; A1: 0-0.1mm; HE: 2.1-2.5mm; Lp: 0.45-0.55mm; Bp: 0.38-0.48mm; E1: 0.95mm
ПрименениеTelephony and professional communication equipment
Код маркировки1V*
Комплементарный PNPBF821; BF823
Peak base current50mA
Dc current gain hfe50 min (at I_C=25mA, V_CE=20V)
Collector current dc50mA
Feedback capacitance1.6pF max (at V_CB=30V, f=1MHz)
Частота перехода60MHz min (at I_C=10mA, V_CE=10V, f=100MHz)
Peak collector current100mA
Общая рассеиваемая мощность250mW
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Макс. темп. перехода150°C
Напряжение эмиттер-база Vebo5V
Диап. темп. хр.-65°C to +150°C
Напряжение коллектор-база Vcbo300V
Emitter base cutoff current50nA (at V_EB=5V)
Описание (англ.)NPN 300V 0.05A, 0.25W
Ток отсечки коллектор-база10nA (at V_CB=200V)
Напряжение коллектор-эмиттер Vceo300V
Диапазон темп. окр.-65°C to +150°C
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер600mV max (at I_C=30mA, I_B=5mA)
Collector base cutoff current at 150c10µA (at V_CB=200V, Tj=150°C)
Термосопротивление переход-среда500K/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?