Документация
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20V, 10мA, 0,25Вт
У поставщика
ПроизводительNXP
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
18 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:18 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 26 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 26,92 |
| от 41 | 26,12 |
| от 82 | 25,02 |
| от 164 | 23,60 |
| от 328 | 22,18 |
Описание
Полевой транзистор NXP BF513,215 — это N-канальный радиочастотный MOSFET. Работает при напряжении до 20 В, токе до 10 мА и мощности 0,25 Вт, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для высокочастотных схем в промышленной автоматике и радиоэлектронике.
Технические характеристики
| Цоколевка | 1=gate, 2=drain, 3=source |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | BF513,215 |
| Кол-во выводов | 3 |
| Описание | N-channel silicon field-effect transistor, RF |
| Код маркировки | S9p |
| Gate current max | 10mA |
| Noise figure typ | 1.5dB |
| Drain current max | 30mA |
| Размеры упаковки | 3.0 x 1.4 x 1.1mm |
| Drain current dss max | 18mA |
| Drain current dss min | 10mA |
| Входная емкость макс. | 5pF |
| Input conductance typ | 50uS |
| Drain gate voltage max | 20V |
| Noise figure condition | GS=1mS; BS=3mS; f=100MHz; VDS=10V; ID=5mA |
| Макс. выходная емкость | 3pF |
| Output conductance max | 120uS |
| Gate cutoff current max | 10nA |
| Transfer admittance min | 3.5mS |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. напряжение сток-исток | 20V |
| Feedback capacitance max | 0.5pF |
| Feedback capacitance typ | 0.3pF |
| Макс. темп. перехода | 150C |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150C |
| Drain current dss condition | VDS=10V; VGS=0 |
| Input capacitance condition | f=1MHz |
| Input conductance condition | f=100MHz |
| Power dissipation condition | up to Tamb=40C |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 250mW |
| Output capacitance condition | f=1MHz |
| Output conductance condition | f=1MHz |
| Transfer admittance vgs0 min | 7.0mS |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 20V 10MA SOT23 |
| Gate cutoff current condition | -VGS=0.2V; VDS=0 |
| Output conductance 100mhz typ | 90uS |
| Transfer admittance condition | VDS=10V; ID=5mA; f=1kHz |
| Feedback capacitance condition | VDS=10V; ID=5mA; f=1MHz |
| Gate source cutoff voltage typ | 3V |
| Transfer admittance 100mhz typ | 5.0mS |
| Gate drain breakdown voltage min | 20V |
| Transfer admittance vgs0 condition | VDS=10V; VGS=0; f=1kHz |
| Output conductance 100mhz condition | f=100MHz |
| Gate source cutoff voltage condition | ID=10uA; VDS=10V |
| Transfer admittance 100mhz condition | f=100MHz |
| Gate drain breakdown voltage condition | IS=0; -ID=10uA |
| Термосопротивление переход-среда | 430K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?