+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BDX54C
Документация

Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 60 Вт

Артикул:765329
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
3 231 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 431 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 159,94
от 10055,59
от 15052,13
от 30049,11
от 55047,07
Склад 12
В наличии:800 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Минимальная партия: 200 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 135,19
от 2029,35
Описание

Транзистор BDX54C от STMicroelectronics — это мощный PNP составной (Darlington) прибор. Он рассчитан на напряжение до 100 В, ток до 8 А и мощность 60 Вт, выпускается в корпусе TO-220. Подходит для применения в силовых цепях промышленной автоматики и коммутации нагрузок.

Технические характеристики
ТипPNP Darlington transistor
Цоколевка1.Base 2.Collector 3.Emitter
КорпусTO-220
Тип монтажаВыводной
РазмерыШирина корпуса: 4.50 ±0.20 mm; Высота корпуса: 9.90 ±0.20 mm; Длина корпуса: 10.00 ±0.20 mm; Расстояние между выводами: 2.54 mm (typical); Диаметр вывода: 0.80 ±0.10 mm; Диаметр монтажного отверстия: 3.60 ±0.10 mm
АртикулBDX54C
ПрименениеHammer Drivers, Audio Amplifiers, Power Linear and Switching
Current base0.2A
Комплементарный аналогBDX53C
Коэф. усиления DC750 (min) at V_CE=-3V, I_C=-3A
Тип транзистораPNP Darlington
Конфиг. выводов1:Base, 2:Collector, 3:Emiter
Рассеиваемая мощность60W
Размеры упаковкиШирина корпуса: 4.50 ±0.20 mm; Шаг выводов: 2.54 mm; Высота корпуса: 9.90 ±0.20 mm; Длина корпуса: 10.00 ±0.20 mm; Диаметр вывода: 0.80 ±0.10 mm; Диаметр монтажного отверстия: 3.60 ±0.10 mm
СтруктураPNP
Current collector dc8A
Напряжение эмиттер-база5V
Ток отсечки эмиттера2mA (max) at V_EB=-5V
Напряжение коллектор-база45V (BDX54), 60V (BDX54A), 80V (BDX54B), 100V (BDX54C)
Current collector pulse12A
Тепл. хар-киДиап. темп. хр.: -65 to 150°C; Макс. темп. перехода: 150°C
Тип упаковкиTube (туба)
Предельные значенияНапряжение коллектор-база Vcbo: -100V; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: -100V; Напряжение эмиттер-база Vebo: -5V; Ic dc: -8A; Ib max: -0.2A; Макс. Pc: 60W; Макс. Tj: 150°C; Ic pulse: -12A; Макс. Tstg: 150°C; Мин. Tstg: -65°C
Ток отсечки коллектора200µA (max) at V_CB=-100V for BDX54C
Макс. темп. перехода150°C
Диап. темп. хр.-65°C to 150°C
Напряжение коллектор-эмиттер45V (BDX54), 60V (BDX54A), 80V (BDX54B), 100V (BDX54C)
Электрические характеристикиМин. HFE: 750; Icbo макс.: 200µA; Макс. ток коллектор-эмиттер: 500µA; Макс. IEBO: 2mA; Vf diode: -1.8V to -2.5V (If=-3A), -2.5V (If=-8A); Vbe нас. макс.: -2.5V; Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер: -2V; Vce sus min: -100V; Hfe test condition: Vce=-3V, Ic=-3A; Vbe sat test condition: Ic=-3A, Ib=-12mA; Vce sat test condition: Ic=-3A, Ib=-12mA
Collector cutoff current ce500µA (max) at V_CE=-50V for BDX54C
Описание (англ.)Darlington PNP 100V 8A 60 W
Parallel diode forward voltage1.8V to 2.5V at I_F=-3A, 2.5V (max) at I_F=-8A
Напр. нас. база-эмиттер2.5V (max) at I_C=-3A, I_B=-12mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2V (max) at I_C=-3A, I_B=-12mA
Напр-е к-э (Uкэо макс),В100
Коэф-т передачи тока hfe 750
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)8

Заметили ошибку в описании или параметрах?