Документация
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 60 Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 043 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:713 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 48,22 |
| от 15 | 46,99 |
| от 30 | 45,25 |
| от 50 | 42,70 |
| от 150 | 39,59 |
Склад 12
В наличии:330 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Минимальная партия: 50 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 38,30 |
| от 20 | 32,73 |
Описание
Биполярный транзистор NPN типа Дарлингтон от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 100 В и ток до 8 А при мощности 60 Вт, выпускается в корпусе TO-220. Подходит для коммутации нагрузок в промышленной автоматике и силовой электронике.
Технические характеристики
| Ib | 0.2A |
| Корпус | 221A |
| Тип | NPN Darlington |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 100V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 100V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 5.0V |
| Стиль | 1 |
| Ib max | 0.2A |
| Цоколевка | 1-Base, 2-Collector, 3-Emitter, 4-Collector (tab) |
| Rth JA | 70°C/W |
| Rth jc | 1.92°C/W |
| Cob max | 300pF |
| Мин. HFE | 750 |
| Hfe typ | 2500 |
| Ic peak | 12A |
| Корпус | TO-220 |
| Без свинца | Да |
| Pd tc25 | 65W |
| Tj tstg | -65 to +150°C |
| Vcb max | 100V |
| Veb max | 5V |
| Icbo макс. | 0.2mA |
| Макс. ток коллектор-эмиттер | 0.5mA |
| Материал | Silicon |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | NPN |
| Напряжение поддержания коллектор-эмиттер | 100V |
| Компонент | BDX53C |
| Pd derate | 0.48W/°C |
| Кол-во выводов | 3 |
| Применение | General-purpose amplifier and low-speed switching |
| Vbe нас. макс. | 2.5V |
| Vceo sus min | 100V |
| Комплементарный аналог | BDX54C |
| Ic continuous | 8A |
| Vce sat max 1 | 2.0V |
| Vce sat max 2 | 4.0V |
| Frequency test | 1MHz |
| Соотв. RoHS | Да |
| Снижение выше 25°C | 0.48W/°C |
| Vce sat max ic3a | 2V |
| Vce sat max ic5a | 4V |
| Комплементарный PNP | BDX54C |
| Cob test condition | VCB = 10Vdc, IE = 0, f = 0.1MHz |
| Hfe test condition | IC = 3.0Adc, VCE = 3.0Vdc |
| Icbo test condition | VCB = 100Vdc, IE = 0 |
| Iceo test condition | VCE = 50Vdc, IB = 0 |
| Hfe small signal min | 4.0 |
| Hfe typ test condition | IC = 4.0Adc |
| Vbe sat test condition | IC = 3.0Adc, IB = 12mA |
| Hfe мин. | 750 |
| Dc current gain hfe typ | 2500 |
| Power dissipation total | 65W |
| Vceo sus test condition | IC = 100mAdc, IB = 0 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Vce sat test condition 1 | IC = 3.0Adc, IB = 12mAdc |
| Vce sat test condition 2 | IC = 5.0Adc |
| Output capacitance cob max | 300pF |
| Описание (англ.) | NPN Darlington 100V 8A |
| Hfe small signal test condition | IC = 3.0Adc, VCE = 4.0Vdc, f = 1.0MHz |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.92°C/W |
| Small signal current gain hfe min | 4 |
| Temperature range operating storage | -65 to +150°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 70°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?