Документация
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 10 А, 70 Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
363 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:363 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 59,88 |
| от 37 | 55,14 |
| от 100 | 51,27 |
| от 150 | 48,36 |
| от 300 | 46,18 |
Описание
Биполярный транзистор NPN Дарлингтона от STMicroelectronics. Рассчитан на напряжение до 100 В, ток коллектора 10 А и мощность рассеивания 70 Вт. Выполнен в корпусе TO-220 для монтажа в отверстия, имеет минимальный коэффициент усиления 750. Применяется в промышленной автоматике и силовых коммутационных цепях.
Технические характеристики
| Ib | 0.25A |
| Ic | 10A |
| Vf | 4V |
| Hfe | 750 |
| Icm | 15A |
| Напряжение база-эмиттер | 2.5V |
| Ток отсечки коллектор-база Icbo | 0.2mA |
| Iceo | 0.5mA |
| Ток отсечки эмиттер-база Iebo | 5mA |
| Ptot | 70W |
| Tstg | -65 to 150°C |
| Тип | NPN Darlington |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 100V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 100V |
| R1 typ | 10kΩ |
| R2 typ | 150Ω |
| Rth jc | 1.78°C/W |
| Макс. Tj | 150°C |
| Корпус | TO-220 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5V |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | NPN |
| Напряжение поддержания коллектор-эмиттер | 100V |
| Vcer sus | 100V |
| Vcev sus | 100V |
| Компонент | BDX33C |
| Кол-во выводов | 3 |
| Ширина корпуса | 10.0-10.4 mm |
| Размеры | A: 4.40-4.60mm; C: 1.23-1.32mm; D: 2.40-2.72mm; E: 0.49-0.70mm; F: 0.61-0.88mm; G: 4.95-5.15mm; D1: 1.27mm; F1: 1.14-1.70mm; F2: 1.14-1.70mm; G1: 2.4-2.7mm; H2: 10.0-10.40mm; L2: 16.4mm; L4: 13.0-14.0mm; L5: 2.65-2.95mm; L6: 15.25-15.75mm; L7: 6.2-6.6mm; L9: 3.5-3.93mm; DIA: 3.75-3.85mm |
| Шаг выводов | 2.54 mm |
| Технология | silicon epitaxial-base |
| Высота корпуса | 4.40-4.60 mm |
| Длина корпуса | 13.0-14.0 mm |
| Описание | Complementary Silicon Power Darlington Transistor, NPN |
| Vf condition | IF = 8A |
| Конфигурация | Darlington |
| Hfe condition | IC = 3A, VCE = 3V |
| Icbo tcase100 | 5mA |
| Iceo tcase100 | 10mA |
| Vbe condition | IC = 3A, VCE = 3V |
| Icbo condition | VCB = 100V, IE = 0 |
| Iceo condition | VCE = 50V, IB = 0 |
| Iebo condition | VEB = 5V, IC = 0 |
| Общая длина | 15.25-15.75 mm |
| Ptot condition | Tc <= 25°C |
| Base current ib | 0.25A |
| Hfe small signal | 100 |
| Vce sat condition | IC = 3A, IB = 6mA |
| Dc current gain hfe | 750 min |
| Ток коллектора Ic | 10A |
| Total dissipation ptot | 70W |
| Icbo tcase100 condition | VCB = 100V |
| Iceo tcase100 condition | VCE = 50V |
| Напряжение база-эмиттер Vbe | 2.5V max |
| Диап. темп. хр. | -65 to 150°C |
| Collector peak current icm | 15A |
| Hfe small signal condition | IC = 1A, VCE = 5V, f = 1MHz |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 100V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | 5mA |
| Small signal current gain hfe | 100 |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 100V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.78 °C/W |
| Collector cutoff current icbo min | 0.2mA |
| Collector cutoff current iceo min | 0.5mA |
| Internal base emitter resistor r1 | 10kΩ typ |
| Internal base emitter resistor r2 | 150Ω typ |
| Parallel diode forward voltage vf | 4V max |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Collector cutoff current icbo max 100c | 5mA |
| Collector cutoff current iceo max 100c | 10mA |
| Collector emitter saturation voltage vce sat | 2.5V max |
| Collector emitter sustaining voltage vceo sus | 100V min |
| Collector emitter sustaining voltage vcer sus | 100V min |
| Collector emitter sustaining voltage vcev sus | 100V min |
Заметили ошибку в описании или параметрах?