Документация
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 12 А, 80 Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
636 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:486 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 93,40 |
| от 50 | 87,19 |
| от 100 | 82,26 |
| от 200 | 77,94 |
| от 400 | 75,03 |
Склад 12
В наличии:150 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 300 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 65,21 |
| от 30 | 60,11 |
Описание
Биполярный транзистор Дарлингтона NPN от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 100 В, ток коллектора до 12 А и рассеивает мощность до 80 Вт. Выпускается в корпусе TO-220 для монтажа в отверстия, оснащён встроенным антипараллельным диодом. Подходит для мощных ключей в промышленной автоматике и силовых нагрузках.
Технические характеристики
| Ib | 0.2A |
| Ic | 12A |
| Ток отсечки коллектор-база Icbo | 100µA at VCB=100V, 5mA at 150°C |
| Iceo | 1mA at VCE=100V |
| Ток отсечки эмиттер-база Iebo | 2mA at VEB=5V |
| Ptot | 80W |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 100V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 100V |
| Ic peak | 15A |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | NPN |
| Конфигурация | Monolithic Darlington |
| Тип компонента | Bipolar Transistor |
| Vbe saturation | Max: 2.5V; Max2: 4V; Conditions: IC=5A, IB=20mA; Conditions2: IC=10A, IB=100mA |
| Vce saturation | Max: 2V; Max2: 3V; Conditions: IC=5A, IB=20mA; Conditions2: IC=10A, IB=100mA |
| Размеры корпуса | Width max: 10.40 mm; Width min: 10.0 mm; Макс. высота: 4.60 mm; Height min: 4.40 mm; Макс. длина: 15.75 mm; Мин. длина: 15.25 mm; Lead pitch max: 5.15 mm; Lead pitch min: 4.95 mm |
| Коэф. усиления DC | Диапазон hFE: 750-20000 at IC=5A, VCE=3V; Hfe min 100: IC=10A, VCE=3V; Hfe min 1000: IC=3A, VCE=3V |
| Vceo sustaining | 100V at IC=100mA |
| Base current max | 0.2A |
| Internal resistors | R1: 10kΩ; R2: 150Ω |
| Размеры упаковки | Ширина: 10.0-10.40mm; Высота: 4.40-4.60mm; Шаг выводов: 4.95-5.15mm; Длина корпуса: 13.0-14.0mm; Общая длина: 16.4mm typical |
| Макс. ток коллектора | 12A |
| Dc current gain min 1 | 1000 @ Ic=3A, Vce=3V |
| Dc current gain min 2 | 100 @ Ic=10A, Vce=3V |
| Dc current gain range | 750 to 20000 @ Ic=5A, Vce=3V |
| Forward voltage diode | If 5A: 1.3V to 2V; If 10A: 1.8V to 4V |
| Макс. рассеиваемая мощность | 80W |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Vbe saturation voltage 1 | 2.5V @ Ic=5A, Ib=20mA |
| Vbe saturation voltage 2 | 4V @ Ic=10A, Ib=100mA |
| Vce saturation voltage 1 | 2V @ Ic=5A, Ib=20mA |
| Vce saturation voltage 2 | 3V @ Ic=10A, Ib=100mA |
| Small signal current gain | Hfe: 20 at IC=1A, VCE=10V, f=1MHz |
| Диап. темп. хр. | -65°C to 150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 100V |
| Collector peak current max | 15A |
| Макс. ток отсечки эмиттера | 2 mA @ Veb=5V |
| Макс. ток отсечки коллектора | 100 µA @ Vcb=100V |
| Макс. напр. К-Э | 100V |
| Collector cutoff current hot max | 5 mA @ Vcb=100V, Tcase=150°C |
| Parallel diode forward voltage 1 | 1.3V to 2V @ If=5A |
| Parallel diode forward voltage 2 | 1.8V to 4V @ If=10A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.56°C/W |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Collector emitter cutoff current max | 1 mA @ Vce=100V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?