+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BD681
Документация

Транзистор BD681

Артикул:163737
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
Ед. изм.шт
У поставщиков
1 017 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 14
В наличии:775 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 500
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 50010,18
Склад 13
В наличии:225 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 36 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 119,50
от 10017,51
от 20015,88
от 50014,63
от 1 00013,70
Склад 12
В наличии:17 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 5000 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 114,49
от 50010,66
от 5 00010,19
Описание

Транзистор BD681 производства HOTTECH — биполярный прибор структуры NPN, предназначенный для работы в цепях средней мощности. Компонент выполнен в корпусе TO-126 и оптимизирован для применения в усилительных каскадах и ключевых схемах. Отличается повышенной надёжностью при коммутации нагрузок и стабильностью параметров в рабочем диапазоне температур.

Технические характеристики
ТипNPN Darlington
Цоколевка1: Emitter; 2: Collector (connected to mounting base); 3: Base
КорпусTO-126 (SOT-32)
Тип монтажаВыводной
КомпонентBD681
Кол-во выводов3
РазмерыA: 7.4 - 7.8 mm; B: 10.5 - 10.8 mm; C: 2.4 - 2.7 mm; D: 0.7 - 0.9 mm; E: 2.25 mm (typ); F: 0.49 - 0.75 mm; G: 4.5 mm (typ); L: 15.7 mm (typ); M: 1.27 mm (typ); N: 3.75 mm (typ); P: 3.0 - 3.2 mm; S: 2.5 mm (typ)
ОписаниеNPN Plastic Power Darlington Transistor
АртикулBD681
Размеры ммA: 7.4 to 7.8; B: 10.5 to 10.8; C: 2.4 to 2.7; D: 0.7 to 0.9; E: 2.25 typ.; F: 0.49 to 0.75; G: 4.5 typ.; L: 15.7 typ.; M: 1.27 typ.; N: 3.75 typ.; P: 3.0 to 3.2; S: 2.5 typ.
Тепловое сопротивлениеJunction to case r th jc: 3.13 °C/W
СтруктураNPN
Тип упаковкиBulk (россыпь)
Предельные значенияBase current i b: 0.1 A; Снижение выше 25°C: 0.32 W/°C; Collector current i c: 4 A; Emitter base voltage v ebo: 5 V; Collector base voltage v cbo: 100 V; Collector emitter voltage v ceo: 100 V; Total power dissipation at tc 25c: 40 W; Operating and storage junction temperature range: -55 to +150 °C
Электрические характеристикиDc current gain h fe: Min: 750; Test condition: I_C=1.5A, V_CE=3V, Min: 750; Test condition: I_C=2A, V_CE=3V; Emitter cut off current i ebo: Max: 2.0 mA; Test condition: V_EB=5V, I_C=0; Base emitter on voltage v be on: Max: 2.5 V; Test condition: I_C=1.5A, V_CE=3V, Max: 2.5 V; Test condition: I_C=2A, V_CE=3V; Collector cut off current i cbo: Max: 0.2 mA; Test condition: V_CB=rated V_CBO, I_E=0; Collector cut off current i ceo: Max: 500 µA; Test condition: V_CE=half rated V_CEO, I_B=0; Collector emitter voltage v ceo: Min: 100 V; Test condition: I_C=50mA, I_B=0; Small signal current gain h fe at 1MHz: Min: 1; Test condition: I_C=1.5A, V_CE=3V, f=1MHz; Collector cut off current i cbo at 100c: Max: 2.0 mA; Test condition: V_CB=rated V_CBO, I_E=0, T_C=100°C; Collector emitter saturation voltage v ce sat: Max: 2.5 V; Test condition: I_C=1.5A, I_B=6mA, Max: 2.8 V; Test condition: I_C=2.0A, I_B=8mA
Описание (англ.)Trans Darlington NPN 100V 4A 40W
Напр-е к-э (Uкэо макс),В100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)4

Заметили ошибку в описании или параметрах?