Транзистор BD140
В наличии
На своём складе
3 650 шт.
Норм. уп.: 400
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 30 | 4,21 |
| от 60 | 4,04 |
| от 120 | 3,93 |
| от 200 | 3,84 |
Описание
Транзистор BD140 от KEEN SIDE — это биполярный PNP-транзистор в корпусе TO-126 для монтажа в отверстия. Выдерживает ток коллектора до -1,5 А и напряжение коллектор-эмиттер до -80 В при мощности 1,25 Вт. Подходит для схем усиления и коммутации в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP transistor |
| Мощность, Вт | 1,25 |
| Корпус | TO-126 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Артикул | BD140 |
| Ток коллектора | -1.5 A |
| Размеры упаковки | A max: 2.900mm; A min: 2.500mm; B max: 0.860mm; B min: 0.660mm; C max: 0.600mm; C min: 0.450mm; D max: 7.800mm; D min: 7.400mm; E max: 11.000mm; E min: 10.600mm; E typ: 2.290mm; H max: 0.300mm; H min: 0.000mm; L max: 15.700mm; L min: 15.300mm; P max: 4.100mm; P min: 3.900mm; A1 max: 1.500mm; A1 min: 1.100mm; B1 max: 1.370mm; B1 min: 1.170mm; E1 max: 4.680mm; E1 min: 4.480mm; L1 max: 2.300mm; L1 min: 2.100mm; Phi max: 3.200mm; Phi min: 3.000mm |
| Тепловое сопротивление | 100 ℃/W |
| Ток коллектора Ic | -1.5A |
| Hfe1 | 40-250 |
| Hfe2 | 25 |
| Коэффициент усиления DC hFE3 | 25 |
| Темп. перехода | -55~+150 ℃ |
| Напряжение эмиттер-база | -5 V |
| Напряжение коллектор-база | -80 V |
| Напряжение база-эмиттер Vbe | -1V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -5V |
| Классификация hFE, ранг 6 | 40-100 |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -80 V |
| Классификация hFE, ранг 10 | 63-160 |
| Классификация hFE, ранг 16 | 100-250 |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -80V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | -10μA |
| Ток отсечки коллектора Icbo | -0.1μA |
| Диапазон температуры перехода Tj | -55~+150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -80V |
| Pк | 1.25W |
| Диапазон температур хранения | -55~+150°C |
| Пробивное эмиттер-база | -5V |
| Напряжение пробоя коллектор-база Vbrcbo | -80V |
| Напряжение насыщения КЭ | -0.5V |
| Collector emitter sustaining voltage vceosus | -80V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Макс. температура перехода, °C | 150 |
| Макс. температура хранения, °C | 150 |
| Макс. HFE | 250 |
| Мин. температура хранения, °C | -55 |
| Мин. HFE | 40 |
| Напряжение, В | 80 |
| Тип транзистора | PNP |
| Ток измерения hFE, мА | 150 |
| Ток, А | 1,5 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?