+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BD139-16
Документация

Транзистор BD139-16

Артикул:148578
В наличии
ПроизводительKEEN SIDE
Ед. изм.шт
На своём складе
3 259 шт.
Норм. уп.: 400
Цены (собственный склад)
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 303,55
от 603,41
от 1203,31
от 2003,24
Описание

Транзистор BD139-16 от KEEN SIDE — биполярный NPN-транзистор в корпусе TO-126 для монтажа в отверстия. Выдерживает ток коллектора до 1,5 А, максимальное напряжение коллектор-база 80 В и мощность рассеивания 1,25 Вт. Подходит для коммутации нагрузки и усиления сигналов в промышленной автоматике и бытовой электронике.

Технические характеристики
ТипNPN transistor
Цоколевка1: Emitter, 2: Collector, 3: Base
КорпусTO-126
Тип монтажаTHT
АртикулBD139-16
Шаг строк4.48-4.68mm
Расстояние между выводами2.29mm (typical)
Диаметр вывода0.45-0.6mm
Ток коллектора1.5 A
Высота2.5-2.9mm
Рассеиваемая мощность1.25 Вт
Напряжение эмиттер-база5 В
Макс. ток коллектора1.5A
Ширина корпуса10.6-11.0mm
Макс. рассеиваемая мощность1.25W
Напряжение коллектор-база80 В
Длина корпуса7.4-7.8mm
Макс. темп. хр.150°C
Мин. темп. хр.-55°C
Base emitter voltage max1V
Напряжение эмиттер-база макс.5V
Макс. темп. перехода150°C
Темп. перехода мин.-55°C
Напряжение коллектор-эмиттер80 В
Dc current gain hfe 2 min25
Dc current gain hfe 3 min25
Напряжение коллектор-база макс.80V
Emitter cutoff current max10μA
Dc current gain hfe 1 range100-250
Макс. ток отсечки коллектора0.1μA
Макс. напр. К-Э80V
Base emitter voltage conditionVce=2V, Ic=500mA
Dc current gain hfe 1 conditionVce=2V, Ic=150mA
Dc current gain hfe 2 conditionVce=2V, Ic=5mA
Dc current gain hfe 3 conditionVce=2V, Ic=500mA
Emitter cutoff current conditionVeb=5V, Ic=0
Collector cutoff current conditionVcb=30V, Ie=0
Тепловое сопротивление переход-среда100°C/W
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс.0.5V
Collector emitter saturation voltage conditionIc=500mA, Ib=50mA