Документация
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 1.5 А, 12 Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 227 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 227 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 22 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 32,56 |
| от 100 | 29,58 |
| от 150 | 27,14 |
| от 300 | 25,28 |
| от 550 | 23,90 |
Описание
Биполярный NPN-транзистор BD135 от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 45 В, ток до 1.5 А и мощность 12 Вт, выпускается в корпусе TO-126. Подходит для применения в промышленной автоматике и блоках питания.
Технические характеристики
| Цоколевка | 1: Emitter, 2: Collector, 3: Base |
| Корпус | TO-126 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Применение | Medium Power Linear and Switching |
| Ток базы | 0.5A |
| Классификация hFE | 6: 40-100, 10: 63-160, 16: 100-250 |
| Complementary pairs | BD136, BD138, BD140 |
| Collector current dc | 1.5A |
| Hfe1 | 25 (min) at Vce=2V, Ic=5mA |
| Hfe2 | 25 (min) at Vce=2V, Ic=0.5A |
| Коэффициент усиления DC hFE3 | 40-250 at Vce=2V, Ic=150mA |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 1V (max) at Vce=2V, Ic=0.5A |
| Collector current pulse | 3.0A |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 5V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 45V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | 10uA (max) at Veb=5V, Ic=0 |
| Power dissipation case tc25 | 12.5W |
| Описание (англ.) | Bipolar transistor, NPN, 45 V, 1.5 A, 12 W |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 0.1uA (max) at Vcb=30V, Ie=0 |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 45V |
| Power dissipation ambient ta25 | 1.25W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5V (max) at Ic=500mA, Ib=50mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?