Документация
Транзистор BCX71H,215
У поставщика
У поставщиков
2 800 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 12срок до недели
Цена за шт2,74 ₽
Сумма2 740,00 ₽
В наличии2 800 шт
от 1 000 штюрлицам и ИП
1 000 шт · Склад 12 · 2 740,00 ₽
Описание
Транзистор BCX71H,215 от NEX-NXP — это биполярный PNP-транзистор средней мощности. Предназначен для применения в схемах усиления и коммутации в компактных SMD-устройствах. Отличается низким напряжением насыщения и высокой надёжностью при работе в цепях общего назначения.
Технические характеристики
| Тип | PNP general purpose transistor |
| Корпус | SOT23 |
| Цоколевка | 1: основание; 2: эмиттер; 3: коллектор |
| Тип монтажа | SMD |
| Частота | Граничная частота ft: Min: 100MHz; Conditions: Ic=-10mA, Vce=-5V, f=100MHz |
| Размеры | Pitch e1: 0.95mm; Body width e: 1.2mm to 1.4mm; Lead span he: 2.1mm to 2.5mm; Body height a: 0.9mm to 1.1mm; Body length d: 2.8mm to 3.0mm; Lead width bp: 0.38mm to 0.48mm; Foot length lp: 0.45mm to 0.55mm; Контур корпуса: SOT23; Lead thickness c: 0.09mm to 0.15mm |
| Ёмкость | Emitter capacitance ce: Value: 11pF; Conditions: Ic=Ic=0, Veb=-0.5V, f=1MHz; Collector capacitance cc: Value: 4.5pF; Conditions: Ic=Ie=0, Vcb=-10V, f=1MHz |
| Артикул | BCX71H |
| Коэфф. шума | Max: 6dB; Typ: 2dB; Conditions: Ic=-200μA, Vce=-5V, Rs=2kΩ, f=1kHz, B=200Hz |
| Номинальные токи | Пиковый ток базы, Ibm: -200mA; Collector current dc ic: -100mA; Пиковый ток коллектора: -200mA |
| Номинальные напряжения | Напряжение эмиттер-база Vebo: -5V; Напряжение коллектор-база Vcbo: -45V; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: -45V |
| Cut off currents | Emitter base cut off current iebo: Max: -20nA; Conditions: Ic=0, Veb=-4V; Collector base cut off current icbo: Max: -20nA; Conditions: Ie=0, Vcb=-45V; Collector base cut off current icbo at 150C: Max: -20μA; Conditions: Ie=0, Vcb=-45V, Tamb=150°C |
| Рассеиваемая мощность | Condition: Tamb ≤ 25°C; Общая рассеиваемая мощность Ptot: 250mW |
| Темп. диапазон | Темп. перехода Tj: 150°C; Температура хранения: -65°C to +150°C; Operating ambient temperature tamb: -65°C to +150°C |
| Коэфф. усиления по току hFE | At ic minus2mA vce minus5V: Max: 310; Min: 180; At ic minus10uA vce minus5V: Min: 30; At ic minus50mA vce minus1V: Min: 80 |
| Saturation voltages | Vbesat ic minus10mA ib minus0.25mA: Max: -850mV; Min: -600mV; Vbesat ic minus50mA ib minus1.25mA: Max: -1050mV; Min: -680mV; Vcesat ic minus10mA ib minus0.25mA: Max: -250mV; Min: -60mV; Vcesat ic minus50mA ib minus1.25mA: Max: -550mV; Min: -120mV |
| Информация для заказа | Номер типа: BCX71H; Название корпуса: SOT23 |
| Тепл. хар-ки | Mounting condition: FR4 PCB; Thermal resistance junction to ambient rth j a: 500K/W |
| Напряжение база-эмиттер Vbe | At ic minus2mA vce minus5V: Max: -750mV; Min: -600mV; Typ: -650mV; At ic minus10uA vce minus5V: Typ: -550mV; At ic minus50mA vce minus1V: Typ: -720mV |
Заметили ошибку в описании или параметрах?