Документация
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.25W
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
2 957 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт5,42 ₽
Сумма1 084,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии2 957 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 342 — 4,60 ₽ (−15%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 084,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 216,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
200 шт · Склад 13 · 1 084,00 ₽
Описание
Биполярный NPN-транзистор BCX70J,215 от NEXPERIA. Рабочее напряжение до 45 В, ток коллектора до 0,1 А при мощности 0,25 Вт. Выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Подходит для коммутации сигналов и усиления в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Тип | NPN general purpose transistor |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | SOT23 package outline: A max 1.1mm, A1 0.1mm, bp 0.48mm max, c 0.15mm max, D 3.0mm max, E 1.4mm max, HE 2.5mm max, Lp 0.45mm max, e 1.9mm, e1 0.95mm |
| Коэффициент шума | 2-6dB |
| Пиковый ток базы | 200mA |
| Рассеиваемая мощность | 250mW |
| Ёмкость эмиттера | 11pF |
| Темп. хранения | -65°C to +150°C |
| Напряжение база-эмиттер | 550-750mV at Ic=2mA, Vce=5V |
| Ток коллектора, DC | 100mA |
| Темп. перехода | 150°C |
| Частота перехода | 100-250MHz |
| Напряжение эмиттер-база | 5V |
| Ёмкость коллектора | 1.7pF |
| Пиковый ток коллектора | 200mA |
| Напряжение коллектор-база | 45V |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 45V |
| Dc current gain hfe at 2mA | 380-630 (BCX70K) |
| Dc current gain hfe at 10uA | min 100 (BCX70K) |
| Dc current gain hfe at 50mA | min 100 (BCX70K) |
| Описание (англ.) | TRANS NPN 45V 0.1A SOT23 |
| Темп. окр. среды | -65°C to +150°C |
| Напр. нас. база-эмиттер | 600-850mV at Ic=10mA, Ib=0.25mA; 700-1050mV at Ic=50mA, Ib=1.25mA |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 500K/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 50-350mV at Ic=10mA, Ib=0.25mA; 100-550mV at Ic=50mA, Ib=1.25mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?