Документация
BCX70H, Биполярный транзистор
У поставщика
ПроизводительONS
У поставщиков
210 шт.
Норм. уп.: 1100
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 12срок до недели
Цена за шт7,25 ₽
Сумма362,50 ₽
В наличии210 шт
от 50 штюрлицам и ИП
50 шт · Склад 12 · 362,50 ₽
Описание
Биполярный NPN транзистор BCX70H от ON Semiconductor в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Выдерживает ток коллектора до 200 мА при напряжении до 45 В, коэффициент усиления по току составляет 180–310. Отличается низким уровнем шума (6 дБ) и быстрым переключением. Подходит для усиления и коммутации в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Тип | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| Цоколевка | 1: Base, 2: Emitter, 3: Collector |
| Маркировка | AH |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Макс. мощность | 250 mW |
| Коэффициент шума | 6 dB at V_CE=5V, I_C=0.2mA, R_S=2kΩ, f=1kHz |
| Время включения | 150 ns at I_C=10mA, I_B1=1mA |
| Тип монтажа | поверхностный монтаж |
| Время выключения | 800 ns at V_BB=3.6V, I_B2=1mA, R1=R2=5kΩ, R_L=990Ω |
| Корпус | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип транзистора | NPN |
| Описание | TRANS NPN 45V 0.1A TO-236AB |
| Выходная емкость | 4.5 pF at V_CE=10V, I_E=0, f=1MHz |
| Be on voltage range | 0.55-0.75V at V_CE=5V, I_C=2mA |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
| Макс. ток коллектора | 200mA |
| Частота перехода | 250MHz |
| Корпус по производителю | TO-236AB |
| Пробивное напряжение КЭ, мин. | 45V at I_C=2mA, I_B=0 |
| Breakdown voltage eb min | 5V at I_E=1µA, I_C=0 |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 45V |
| Dc current gain min ic10ua | 20 at V_CE=5V |
| Dc current gain min ic50ma | 70 at V_CE=1V |
| Макс. ток отсечки эмиттера | 20nA at V_EB=4V, I_C=0 |
| Dc current gain range ic2ma | 180-310 at V_CE=5V |
| Макс. ток отсечки коллектора | 20nA at V_CE=32V, V_BE=0 |
| Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic | 550mV @ 1.25mA, 50mA |
| Макс. напр. К-Э | 45V |
| Ток коллектора (Ic), макс. | 100 mA |
| Граничная частота усиления | 125 MHz at V_CE=5V, I_C=10mA, f=100MHz |
| Макс. Pк | 350mW |
| Макс. ток отсечки коллектора | 20nA (ICBO) |
| Ce saturation voltage max ic10ma | 0.35V at I_C=10mA, I_B=0.25mA |
| Ce saturation voltage max ic50ma | 0.55V at I_C=50mA, I_B=1.25mA |
| Be saturation voltage range ic10ma | 0.6-0.85V at I_C=10mA, I_B=0.25mA |
| Be saturation voltage range ic50ma | 0.7-1.05V at I_C=50mA, I_B=1.25mA |
| Коэфф. усиления по току (hFE), мин. при Ic, Vce | 180 @ 2mA, 5V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, макс. | 45 V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?