Документация
BCX56-16 SOT-89 транзистор биполярный RUME (арт. 270270)
У поставщика
ПроизводительRUME
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
23 000 шт.
Норм. уп.: 1000
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 29срок до 10 дн.
Цена за шт1,84 ₽
Сумма1 840,00 ₽
до минимума склада не хватает 1 160,00 ₽
В наличии23 000 шт
заказ со склада от 3 000,00 ₽упаковка 1 000 штюрлицам и ИП
Заказ со склада «Склад 29» — от 3 000,00 ₽. С этой позицией будет 1 840,00 ₽, не хватает 1 160,00 ₽. Добавьте позиций этого склада или выберите другой.
1 000 шт · Склад 29 · 1 840,00 ₽
Описание
BCX56-16 — биполярный NPN-транзистор от RUME в компактном корпусе SOT-89. Выдерживает ток коллектора до 1 А и напряжение коллектор-эмиттер до 80 В, мощность рассеивания — 500 мВт. Подходит для коммутации нагрузок и усиления в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Граничная частота fT | 100MHz min at VCE=10V, IC=50mA |
| Микросхема | 1.5A |
| Pd | 625mW |
| Температура перехода | 150°C |
| Cob | 9pF typ at VCB=10V, f=1MHz |
| Напряжение база-эмиттер | 1V max at IC=10mA, VCE=1V |
| Ток отсечки коллектор-база Icbo | 100nA at VCB=35V |
| Ток отсечки эмиттер-база Iebo | 100nA at VEB=6V |
| Тип | Bipolar NPN Transistor |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 40V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 25V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 6V |
| Температура хранения | -55 to +150°C |
| Ft мин. | 100MHz |
| Макс. ток коллектора | 1.5A |
| Тип. ёмкость коллектор-база | 9pF |
| Корпус | SOT-89 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 1.2V max at IC=800mA, IB=80mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5V max at IC=800mA, IB=80mA |
| Icbo макс. | 100nA |
| Макс. IEBO | 100nA |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | NPN |
| Макс. Ptot | 625mW |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 40V min |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 25V min |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 6V min |
| Группа HFE | D (160-300) |
| Макс. напряжение база-эмиттер (вкл.) | 1V |
| Hfe min 5mA | 45 |
| Артикул | BCX56-16 |
| Vbe нас. макс. | 1.2V |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-база | 40V |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 25V |
| Мин. напряжение пробоя эмиттер-база | 6V |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5V |
| Hfe min 800mA | 40 |
| Ток коллектора | 1 A |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диапазон температур хранения | -55 to +150°C |
| Test conditions ft | Vce=10V, Ic=50mA |
| Темп. хранения | -55~+150 |
| Test conditions cob | Vcb=10V, f=1MHz |
| Напряжение эмиттер-база | 5 V |
| Темп. перехода | 150 |
| Напряжение коллектор-база | 100 V |
| Hfe min at vce1v ic5ma | 45 |
| Test conditions vbe on | Ic=10mA, Vce=1V |
| Hfe range 100mA group C | 120-200 |
| Hfe range 100mA group D | 160-300 |
| Test conditions vbe sat | Ic=800mA, Ib=80mA |
| Test conditions vce sat | Ic=800mA, Ib=80mA |
| Hfe max at vce1v ic100ma | 300 |
| Hfe min at vce1v ic100ma | 160 |
| Hfe min at vce1v ic800ma | 40 |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 80 V |
| Мощн. коллектора | 500 mW |
| Термосопротивление переход-среда | 250 /W |
Аналоги
- KT666A9
- BCX56-16Yangjie
Заметили ошибку в описании или параметрах?