+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BCX55-16.115
Документация

Транзистор BCX55-16.115

Артикул:92859
Нет в наличии
ПроизводительNXP(Philips)
КатегорияТранзисторы
Ед. изм.шт
Описание

Транзистор NXP (Philips) BCX55-16.115 — это NPN средней мощности для поверхностного монтажа. Работает при напряжении до 60 В и токе коллектора до 1 А, коэффициент усиления от 100 до 250. Выполнен в компактном корпусе SOT89. Подходит для коммутации нагрузки и усиления в промышленной автоматике и бытовой электронике.

Технические характеристики
ТипNPN medium power transistor
Ib max0.3A
Макс. ток коллектора1A
Макс. HFE250
Мин. HFE100
КорпусSOT89 (SC-62)
Icm peak2A
Тип монтажаSMD
ComplementBCX52
Код маркировкиBM
Hfe conditionVce=2V, Ic=150mA, pulse test
Выводы корпуса3
Ток коллектора1 A
Темп. хранения-55~+150
Напряжение эмиттер-база5 V
Темп. перехода150
Напряжение коллектор-база60 V
Макс. темп. перехода150°C
Напряжение коллектор-эмиттер60 V
Диап. темп. хр.-65°C to +150°C
Мощн. коллектора500 mW
Power dissipation fr4 1cm2 pad0.95W
Power dissipation fr4 6cm2 pad1.35W
Диапазон темп. окр.-55°C to +150°C
Термосопротивление переход-среда250 /W
Thermal resistance junction solderpoint16K/W
Power dissipation fr4 standard footprint0.5W
Thermal resistance junction ambient fr4 1cm2 pad132K/W
Thermal resistance junction ambient fr4 6cm2 pad93K/W
Thermal resistance junction ambient fr4 standard footprint250K/W
Напряжение, В60
Тип транзистораNPN medium power transistor
Ток, А1

Заметили ошибку в описании или параметрах?