Документация
Транзистор BCX53-16
У поставщика
У поставщиков
16 724 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт4,61 ₽
дешевле всех
Сумма922,00 ₽
В наличии4 034 шт
от 200 штюрлицам и ИП
от 825 — 3,80 ₽ (−18%)
Склад 13срок до недели
Цена за шт5,67 ₽
Сумма1 134,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии12 230 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 327 — 4,83 ₽ (−15%)
200 шт · Склад 39 · 922,00 ₽
Описание
Транзистор биполярный BCX53-16 от HOTTECH. PNP-структура рассчитана на ток коллектора до -1 А и напряжение коллектор-эмиттер до -80 В, рассеиваемая мощность — 500 мВт. Корпус SOT-89 обеспечивает компактный монтаж. Подходит для коммутации нагрузки и усиления в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| Примечания | Примечание 1: Power dissipation measured on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage single-sided 1oz copper, still air, steady-state.; Примечание 2: Measured under pulsed conditions. Pulse width ≤ 300µs. Duty cycle ≤ 2%. |
| Цоколевка | 1: основание; 2: коллектор; 3: эмиттер |
| Маркировка | AL |
| Корпус | SOT-89-3 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| Компонент | BCX53-16 |
| Описание | PNP Plastic-Encapsulate Transistor |
| Код маркировки | AL |
| Hfe min at 5mA | 25 @ IC=-5mA, VCE=-2V |
| Hfe min at 500mA | 25 @ IC=-500mA, VCE=-2V |
| Ток коллектора | -1 A |
| Комплементарный NPN | BCX54, BCX55, BCX56 |
| Рассеиваемая мощность | 1W |
| Выходная емкость | 25 pF |
| Тепловое сопротивление | 250 ℃/W |
| Структура | PNP |
| Макс. коэф. усиления DC | 250 |
| Hfe мин. | 63 |
| Темп. хранения | -55~+150 ℃ |
| Напряжение база-эмиттер | -1 В |
| Напряжение эмиттер-база | -5V |
| Темп. перехода | 150 ℃ |
| Частота перехода | 150 MHz |
| Напряжение коллектор-база | -100V |
| Ток отсечки эмиттера | -20nA @ VEB=-4V |
| Complementary npn types | BCX54, BCX55, BCX56 |
| Continuous base current | -100mA |
| Hfe range 16 gain group | 100-250 @ IC=-150mA, VCE=-2V |
| Пиковый импульсный ток базы | -200mA |
| Предельные значения | Рассеиваемая мощность Pd: 1W; Напряжение эмиттер-база Vebo: -5V; Continuous base current ib: -100mA; Напряжение коллектор-база Vcbo: -100V; Пиковый импульсный ток базы Ibm: -200mA; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: -80V; Continuous collector current ic: -1A; Пиковый импульсный ток коллектора Icm: -1.5A; Диапазон рабочих и температур хранения: -65 to +150°C |
| Ток отсечки коллектора | -0.1 µA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -80V |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Электрические характеристики | Выходная ёмкость (Cobo): Max: 25pF; Условия испытаний: VCB=-10V, f=1MHz; Граничная частота ft: Min: 150MHz; Условия испытаний: IC=-50mA, VCE=-10V, f=100MHz; Ток отсечки эмиттера Iebo: Max: -20nA; Условия испытаний: VEB=-4V; Ток отсечки коллектора Icbo: Max: -0.1µA; Условия испытаний: VCB=-30V; Base emitter turn on voltage vbe on: Max: -1.0V; Условия испытаний: IC=-500mA, VCE=-2V; Напряжение пробоя эмиттер-база (BVEBO): Min: -5V; Условия испытаний: IE=-10µA; Напряжение пробоя коллектор-база Bvcbo: Min: -100V; Условия испытаний: IC=-100µA; Collector cutoff current icbo high temp: Max: -20µA; Условия испытаний: VCB=-30V, TA=150°C; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Bvceo: Min: -80V; Условия испытаний: IC=-10mA; Static forward current transfer ratio hfe: Max: 250; Min: 100; Условия испытаний: IC=-150mA, VCE=-2V; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce sat): Max: -0.5V; Условия испытаний: IC=-500mA, IB=-50mA |
| Диап. раб. темп. | -65 to +150°C |
| Base emitter turn on voltage | -1.0V max @ IC=-500mA, VCE=-2V |
| Постоянный ток коллектора | -1A |
| Пиковый импульсный ток коллектора | -1.5A |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5 В |
| Collector cutoff current at 25c | -0.1µA @ VCB=-30V |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -100 В |
| Collector cutoff current at 150c | -20µA @ VCB=-30V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -80 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.5V max @ IC=-500mA, IB=-50mA |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Мощность, Вт | 500 |
| Напряжение, В | 80 |
| Ток, А | 1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?