Документация
Транзистор биполярный BCW66KHE6327 / NPN, 0.8А, 45В, SOT-23
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 287 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 287 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 40 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 17,71 |
| от 40 | 16,89 |
| от 80 | 15,85 |
| от 160 | 14,54 |
| от 319 | 13,31 |
Описание
Транзистор биполярный NPN от Infineon. Компонент рассчитан на ток до 0.8 А и напряжение до 45 В, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для применения в схемах коммутации и усиления сигналов общего назначения.
Технические характеристики
| Тип | NPN Silicon AF Transistor |
| Маркировка | EFs, EGs, EHs |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | BCW66K |
| Размеры | 2.9±0.1 x 1.3±0.1 x 1.0±0.1 mm |
| Ток базы | 100mA |
| Соотв. RoHS | Да |
| Reel size 180mm | 3000 pieces |
| Reel size 330mm | 10000 pieces |
| Ток коллектора | 800mA |
| Peak base current | 200mA |
| Конфиг. выводов | 1=B, 2=E, 3=C |
| AEC-Q101 | Да |
| Complementary type | BCW68 (PNP) |
| Темп. хранения | -65...150°C |
| Напряжение эмиттер-база | 5V |
| Темп. перехода | 150°C |
| Частота перехода | 170MHz |
| Напряжение коллектор-база | 75V |
| Peak collector current | 1A |
| Общая рассеиваемая мощность | 500mW |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Emitter base capacitance | 40pF |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 45V |
| Dc current gain 500mA min | 40 |
| Ёмкость коллектор-база | 3pF |
| Dc current gain group F min | 75 |
| Dc current gain group G min | 110 |
| Dc current gain group H min | 180 |
| Emitter base cutoff current | 20nA |
| Описание (англ.) | NPN 45V 0.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
| Ток отсечки коллектор-база | 0.02µA |
| Dc current gain 100mA group F | 100-250 |
| Dc current gain 100mA group G | 160-400 |
| Dc current gain 100mA group H | 250-630 |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 5V |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 75V |
| Collector base cutoff current 150C | 20µA |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 45V |
| Base emitter saturation voltage 100mA | 1.25V |
| Base emitter saturation voltage 500mA | 1.25V |
| Collector emitter saturation voltage 100mA | 0.3V |
| Collector emitter saturation voltage 500mA | 0.45V |
| Thermal resistance junction soldering point | ≤70K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?