Документация
Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
572 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:572 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 620 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,29 |
| от 268 | 1,11 |
| от 371 | 0,98 |
| от 741 | 0,89 |
| от 2 000 | 0,83 |
Описание
Биполярный транзистор BCW30LT1G от ON Semiconductor выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23. Компонент рассчитан на напряжение 32 В и ток до 0,1 А. Подходит для применения в автомобильной электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| Стиль | STYLE 6 |
| Маркировка | C2 M |
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Тип корпуса | CASE 318-08 |
| Без галогенов | Да |
| Корпус | SOT-23 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Noise figure max | 10dB |
| Макс. коэф. усиления DC | 500 |
| Hfe мин. | 215 |
| Автомобильный | AEC-Q101, PPAP capable for S prefix |
| Derate above 25c fr5 | 1.8 mW/°C |
| Max collector current | -100mA |
| Макс. выходная емкость | 7pF |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Derate above 25c alumina | 2.4 mW/°C |
| Max emitter base voltage | -5V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Max collector base voltage | -32V |
| Base emitter on voltage max | -0.75V |
| Base emitter on voltage min | -0.6V |
| Noise figure test condition | IC=-0.2mA, VCE=-5.0V, RS=2.0kΩ, f=1.0kHz, BW=200Hz |
| Макс. ток отсечки коллектора | -100nA |
| Total device dissipation fr5 | 225mW |
| Описание (англ.) | PNP 32V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
| Max collector emitter voltage | -32V |
| Dc current gain test condition | IC=-2.0mA, VCE=-5.0V |
| Total device dissipation alumina | 300mW |
| Output capacitance test condition | IE=0, VCB=-10V, f=1.0MHz |
| Мин. пробой эмиттер-база | -5V |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-база | -32V |
| Collector cutoff current max at 100c | -10µA |
| Base emitter on voltage test condition | IC=-2.0mA, VCE=-5.0V |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -32V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | -0.3V |
| Thermal resistance junction to ambient fr5 | 556 °C/W |
| Thermal resistance junction to ambient alumina | 417 °C/W |
| Collector emitter saturation voltage test condition | IC=-10mA, IB=-0.5mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?