Документация
Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 0.1 А, 0.25 Вт
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
377 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:377 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 96 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 7,20 |
| от 274 | 6,19 |
| от 547 | 5,35 |
| от 1 094 | 4,72 |
| от 2 187 | 4,28 |
Описание
Биполярный NPN-транзистор BCV72,215 от NEXPERIA. Работает при напряжении до 60 В и токе до 0,1 А, мощность рассеивания — 0,25 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-23. Подходит для применения в автомобильной электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | NPN general purpose transistor |
| Цоколевка | 1: base; 2: emitter; 3: collector |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 3 |
| Размеры | Размах выводов: 2.1 to 2.5mm; Ширина корпуса: 1.2 to 1.4mm; Шаг выводов: 0.95mm; Ширина вывода: 0.38 to 0.48mm; Высота корпуса: 0.9 to 1.1mm; Длина корпуса: 2.8 to 3.0mm; Lead pitch 1: 1.9mm; Толщина вывода: 0.09 to 0.15mm; Package outline: SOT23 |
| Код маркировки | K8* |
| Characteristics | Коэффициент шума: Max: 10dB; Condition: IC=200μA; VCE=5V; RS=2kΩ; f=1kHz; B=200Hz; Коэф. усиления DC: Max: 450; Min: 200; Condition: IC=2mA; VCE=5V; Dc current gain low: Min: 150; Condition: IC=10μA; VCE=5V; Напряжение база-эмиттер: Max: 700mV; Min: 550mV; Condition: IC=2mA; VCE=5V; Частота перехода: Min: 100MHz; Condition: IC=10mA; VCE=5V; f=100MHz; Collector capacitance: Typ: 2.5pF; Condition: IE=ie=0; VCB=10V; f=1MHz; Ток отсечки эмиттера: Max: 100nA; Condition: IC=0; VEB=5V; Ток отсечки коллектора: Max: 100nA; Condition: IE=0; VCB=20V; Напр. нас. база-эмиттер: Typ 1: 750mV; Typ 2: 850mV; Condition 1: IC=10mA; IB=0.5mA; Condition 2: IC=50mA; IB=2.5mA; Collector cutoff current high temp: Max: 10μA; Condition: IE=0; VCB=20V; Tj=100°C; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: Max 1: 250mV; Typ 1: 120mV; Typ 2: 210mV; Condition 1: IC=10mA; IB=0.5mA; Condition 2: IC=50mA; IB=2.5mA |
| Limiting values | Peak base current: 200mA; Темп. хранения: -65 to +150°C; Collector current dc: 100mA; Напряжение эмиттер-база: 5V; Темп. перехода: 150°C; Напряжение коллектор-база: 80V; Peak collector current: 200mA; Общая рассеиваемая мощность: 250mW; Напряжение коллектор-эмиттер: 60V; Темп. окр. среды: -65 to +150°C |
| Тепл. хар-ки | Термосопротивление переход-среда: 500K/W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | NPN 60V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R |
Заметили ошибку в описании или параметрах?