Документация
Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 100 мА, 0.25Вт
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
785 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:785 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 56,81 |
| от 37 | 52,33 |
| от 73 | 48,65 |
| от 145 | 45,90 |
| от 289 | 43,84 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор от NEXPERIA. Рабочее напряжение до 30 В, ток до 100 мА, мощность рассеивания 0,25 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-143B. Подходит для применения в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP general-purpose double transistor |
| Корпус | SOT143B |
| Тип монтажа | SMD |
| Код маркировки | 3K* |
| Npn complement | BCV61B |
| Noise figure max | 10dB |
| AEC-Q101 | Да |
| Макс. коэф. усиления DC | 475 |
| Hfe мин. | 220 |
| Макс. ток коллектора | -100mA |
| Peak base current max | -200mA |
| Noise figure conditions | V_CE=-5V, I_C=-200μA, R_S=2kΩ, f=1kHz, B=200Hz |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. напряжение база-эмиттер | -750mV |
| Base emitter voltage min | -600mV |
| Base emitter voltage typ | -650mV |
| Напряжение эмиттер-база макс. | -6V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. частота перехода | 100MHz |
| Диапазон темп. окр. | -65 to +150°C |
| Collector capacitance typ | 4.5pF |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | -30V |
| Current matching ratio max | 1.3 |
| Current matching ratio min | 0.7 |
| Dc current gain conditions | V_CE=-5V, I_C=-2mA |
| Peak collector current max | -200mA |
| Current matching conditions | I_E2=-0.5mA, V_CE1=-5V |
| Power dissipation condition | T_amb ≤ 25°C, on FR4 PCB |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 250mW |
| Описание (англ.) | TRANS PNP 30V 100MA DUAL SOT143B |
| Макс. напр. К-Э | -30V |
| Base emitter voltage conditions | I_C=-2mA, V_CE=-5V |
| Transition frequency conditions | V_CE=-5V, I_C=-10mA, f=100MHz |
| Collector capacitance conditions | V_CB=-10V |
| Base emitter saturation voltage typ1 | -700mV |
| Base emitter saturation voltage typ2 | -850mV |
| Collector emitter saturation voltage max1 | -300mV |
| Collector emitter saturation voltage max2 | -650mV |
| Collector emitter saturation voltage typ1 | -75mV |
| Collector emitter saturation voltage typ2 | -250mV |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 500K/W |
| Base emitter saturation voltage conditions1 | I_C=-10mA, I_B=-0.5mA |
| Base emitter saturation voltage conditions2 | I_C=-100mA, I_B=-5mA |
| Collector emitter saturation voltage conditions1 | I_C=-10mA, I_B=-0.5mA |
| Collector emitter saturation voltage conditions2 | I_C=-100mA, I_B=-5mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?