+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BCV61,215
Документация

Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 мА

Артикул:787724
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 795 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 795 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 68 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 110,18
от 359,50
от 618,75
от 1228,12
от 2437,59
Описание

Биполярный NPN транзистор от NEXPERIA. Работает при напряжении до 30 В и токе до 100 мА, выпускается в компактном корпусе SOT-143B. Подходит для применения в бытовой электронике и схемах управления.

Технические характеристики
Nf max10dB
C c typ2.5pF
F t min100MHz
Макс. HFE800
Мин. HFE110
I c max100mA
КорпусSOT143B
T j max150°C
I bm max200mA
I cm max200mA
I e2 max-5mA
Тип монтажаSMD
R th j a500K/W
V be max700mV
V be min580mV
V be typ660mV
I cbo max15nA
I ebo max100nA
P tot max250mW
Кол-во выводов4
T amb max150°C
T amb min-65°C
T stg max150°C
T stg min-65°C
V cbo max30V
V ceo max30V
V ebs max6V
V besat typ700mV
V cesat max250mV
V cesat typ90mV
Код маркировки1M*
V be max high770mV
V ebs tr2 max-1.8V
V ebs tr2 min-400mV
Hfe bcv61a max220
Hfe bcv61a min110
Hfe bcv61b max450
Hfe bcv61b min200
Hfe bcv61c max800
Hfe bcv61c min420
PnP complementBCV62
Тип транзистораNPN general-purpose double transistors
V besat typ high900mV
V cesat max high600mV
V cesat typ high200mV
Nf test conditionsV_CE=5V; I_C=200µA; R_S=2kΩ; f=1kHz; B=200Hz
C c test conditionsV_CB=10V; I_E=0A; f=1MHz
F t test conditionsV_CE=5V; I_C=10mA; f=100MHz
Hfe test conditionsV_CE=5V; I_C=2mA
I cbo max high temp5µA
Current matching max1.3
Current matching min0.7
I e2 test conditionsV_CE1=5V
V be test conditionsI_C=2mA; V_CE=5V
I cbo test conditionsV_CB=30V; I_E=0A
I ebo test conditionsV_EB=5V; I_C=0A
V besat test conditionsI_C=10mA; I_B=0.5mA
V cesat test conditionsI_C=10mA; I_B=0.5mA
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
V be test conditions highI_C=10mA; V_CE=5V
V ebs tr2 test conditionsV_CB=0V; I_E=-250mA
V besat test conditions highI_C=100mA; I_B=5mA
V cesat test conditions highI_C=100mA; I_B=5mA
Описание (англ.)TRANS NPN 30V 100MA DUAL SOT143B
V ebs tr2 test conditions lowV_CB=0V; I_E=-10µA
I cbo test conditions high tempV_CB=30V; I_E=0A; T_j=150°C
Current matching test conditionsI_C1/I_E2; I_E2=-0.5mA; V_CE1=5V

Заметили ошибку в описании или параметрах?