Документация
Транзистор BCV48H6327
У поставщика
У поставщиков
400 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:400 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 137,77 |
| от 16 | 128,58 |
| от 32 | 121,10 |
| от 63 | 115,51 |
| от 126 | 111,34 |
Описание
Транзистор биполярный BCV48H6327 от Infineon. Выполнен в компактном корпусе для поверхностного монтажа. Подходит для коммутации и усиления сигналов в схемах с низким энергопотреблением. Применяется в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | биполярные |
| Маркировка | EE |
| Корпус | SOT89 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | BCV48H6327 |
| Описание | PNP Silicon Darlington Transistor |
| Ток базы | 100mA |
| Описание | AF TRANSISTORS |
| Peak base current | 200mA |
| Конфиг. выводов | 1=B, 2=C, 3=E, 4=C |
| Темп. хранения | -65 to 150°C |
| Dc collector current | 500mA |
| Dc current gain 10mA | 4000 |
| Dc current gain 10uA | 2000 |
| Напряжение эмиттер-база | 10V |
| Темп. перехода | 150°C |
| Частота перехода | 200MHz |
| Dc current gain 100mA | 10000 |
| Dc current gain 500mA | 2000 |
| Напряжение коллектор-база | 80V |
| Ток отсечки эмиттера | 100nA |
| Peak collector current | 800mA |
| Общая рассеиваемая мощность | 1W |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 60V |
| Ёмкость коллектор-база | 4.5pF |
| Напр. нас. база-эмиттер | 1.5V |
| Collector cutoff current at 150C | 10µA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1V |
| Thermal resistance junction soldering point | 20K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?