Документация
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 1.2 А, 0.35 Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
3 000 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 76 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 9,26 |
| от 200 | 8,10 |
| от 400 | 7,12 |
| от 799 | 6,37 |
| от 1 597 | 5,85 |
Описание
BCV27 — это NPN составной транзистор (Дарлингтон) от ON Semiconductor. Компонент рассчитан на напряжение до 30 В, ток до 1.2 А и мощность 0.35 Вт, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для применения в промышленной автоматике и схемах управления нагрузкой.
Технические характеристики
| Маркировка | FF |
| Корпус | SOT-23 3L |
| Process | 05 |
| Тип монтажа | SMD |
| Lead count | 3 |
| Описание | NPN Darlington transistor |
| Артикул | BCV27 |
| Метод упаковки | Tape and Reel |
| Снижение выше 25°C | 2.8mW/°C |
| Рассеиваемая мощность | 350mW |
| Dc current gain hfe | At ic 1mA vce 5V: 4000 min; At ic 10mA vce 5V: 10000 min; At ic 100mA vce 5V: 20000 min |
| Напряжение эмиттер-база | 10V |
| Collector capacitance | 3.5pF at VCB=30V, IE=0, f=1MHz |
| Напряжение коллектор-база | 40V |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 30V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | 0.1uA max at VEB=10V |
| Диап. раб. темп. | -55 to +150°C |
| Непрерывный ток коллектора | 1.2A |
| Описание (англ.) | NPN Darlington 30V 1.2A |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 0.1uA max at VCB=30V |
| Current gain bandwidth product | 220MHz at IC=30mA, VCE=5V, f=100MHz |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 10V min |
| Напр. нас. база-эмиттер | 1.5V max at IC=100mA, IB=0.1mA |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 40V min |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 30V min |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.0V max at IC=100mA, IB=0.1mA |
| Термосопротивление переход-среда | 357°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?