Документация
Транзистор BCP55-16
В наличии
На своём складе
4 725 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 100 | 2,73 |
| от 200 | 2,62 |
| от 400 | 2,55 |
| от 1 000 | 2,52 |
Описание
Транзистор BCP55-16 от KEEN SIDE — это кремниевый NPN биполярный транзистор для поверхностного монтажа. Выполнен в корпусе SOT223, рассчитан на ток коллектора до 1 А, напряжение до 60 В и мощность до 1,5 Вт. Подходит для применения в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN Silicon AF Transistor |
| Маркировка | BCP55-16 |
| Корпус | SOT223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Pin config | 1=B, 2=C, 3=E, 4=C |
| Base current ib | 100mA |
| Complementary types | BCP51...BCP53 (PNP) |
| Макс. ток коллектора | 1 A |
| Peak base current ibm | 200mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.5 W |
| Dc collector current ic | 1A |
| Темп. перехода Tj | 150°C |
| Макс. темп. перехода | 150 °C |
| Мин. частота перехода | 100 MHz |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5 V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 5V |
| Диап. темп. хр. | -65 to 150°C |
| Peak collector current icm | 1.5A |
| Напряжение коллектор-база макс. | 60 V |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 60V |
| Transition frequency ft typ | 100 MHz at IC=50mA, VCE=10V |
| Напряжение коллектор-эмиттер макс. | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 60V |
| Base emitter voltage vbe on max | 1V at IC=500mA, VCE=2V |
| Dc current gain hfe at 5ma 2v min | 25 |
| Total power dissipation at ts 124c | 1.5W |
| Dc current gain hfe at 500ma 2v min | 25 |
| Collector emitter voltage vcer rbe 1k | 60V |
| Collector cutoff current icbo at 30v 25c | 100 nA |
| Dc current gain hfe at 150ma 2v group 16 | 100 min, 160 typ, 250 max |
| Breakdown voltage emitter base vbrebo min | 5V |
| Collector cutoff current icbo at 30v 150c | 20 µA |
| Breakdown voltage collector base vbrcbo min | 60V |
| Breakdown voltage collector emitter vbrceo min | 60V |
| Напряжение насыщения КЭ | 0.5V at IC=500mA, IB=50mA |
| Thermal resistance junction to soldering point rthjs | 17 K/W |