Документация
Транзистор BCP55-16
В наличии
На своём складе
4 105 шт.
Норм. уп.: 1000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Москванаш складотгрузка сразу
Цена за шт3,23 ₽
Сумма323,00 ₽
В наличии4 105 шт
от 100 шт
от 200 — 3,10 ₽ (−4%)
100 шт · Москва · 323,00 ₽
Описание
Транзистор BCP55-16 от KEEN SIDE — это кремниевый NPN биполярный транзистор для поверхностного монтажа. Выполнен в корпусе SOT223, рассчитан на ток коллектора до 1 А, напряжение до 60 В и мощность до 1,5 Вт. Подходит для применения в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN кремниевый ВЧ транзистор |
| Маркировка | BCP55-16 |
| Корпус | SOT-223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Конфигурация выводов | 1=B, 2=C, 3=E, 4=C |
| Ток базы, Iб | 100mA |
| Комплементарная пара | BCP51...BCP53 (PNP) |
| Макс. ток коллектора | 1 A |
| Пиковый ток базы, Ibm | 200mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.5 W |
| Ток коллектора DC, Ic | 1A |
| Темп. перехода Tj | 150°C |
| Макс. темп. перехода | 150 °C |
| Мин. частота перехода | 100 MHz |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5 V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 5V |
| Диап. темп. хр. | -65 to 150°C |
| Пиковый ток коллектора | 1.5A |
| Напряжение коллектор-база макс. | 60 V |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 60V |
| Граничная частота (тип.) | 100 MHz at IC=50mA, VCE=10V |
| Напряжение коллектор-эмиттер макс. | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 60V |
| Напряжение база-эмиттер VBE вкл. макс. | 1V at IC=500mA, VCE=2V |
| Коэффициент усиления по току hFE при 5 мА, 2 В мин. | 25 |
| Общая рассеиваемая мощность при Ts 124 °C | 1.5W |
| Коэффициент усиления по току hFE при 500 мА, 2 В мин. | 25 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCER, RБЭ=1 кОм) | 60V |
| Ток отсечки Icbo, 30 В, 25 °C | 100 nA |
| Коэффициент усиления по току hFE при 150 мА, 2 В, группа 16 | 100 min, 160 typ, 250 max |
| Пробивное напряжение эмиттер-база VBREBO, мин. | 5V |
| Ток отсечки Icbo, 30 В, 150 °C | 20 µA |
| Пробивное напряжение коллектор-база VBRCBO, мин. | 60V |
| Пробивное напряжение коллектор-эмиттер VBRCEO, мин. | 60V |
| Напряжение насыщения КЭ | 0.5V at IC=500mA, IB=50mA |
| Тепловое сопротивление переход-точка пайки RthJS | 17 K/W |
| Мин. HFE | 100 |
| Напряжение, В | 60 |
| Тип транзистора | NPN |
Заметили ошибку в описании или параметрах?