Документация
Транзистор BCP54
В наличии
На своём складе
1 760 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 100 | 2,33 |
| от 200 | 2,23 |
| от 400 | 2,17 |
| от 1 000 | 2,14 |
Описание
Транзистор BCP54 от KEEN SIDE — это кремниевый NPN биполярный транзистор в компактном SMD-корпусе SOT223. Он рассчитан на коллекторный ток до 1 А, максимальное напряжение коллектор-база 45 В и мощность рассеивания 1,5 Вт. Подходит для применения в усилителях звуковой частоты и коммутации нагрузок в бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN Silicon AF Transistor |
| Маркировка | BCP 54 |
| Корпус | SOT223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Base current ib | 100mA |
| Конфиг. выводов | 1: Base, 2: Collector, 3: Emitter, 4: Collector |
| Complementary types | BCP51, BCP52, BCP53 (PNP) |
| Макс. ток коллектора | 1 A |
| Peak base current ibm | 200mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.5 W |
| Dc collector current ic | 1A |
| Макс. темп. перехода | 150 °C |
| Мин. частота перехода | 100 MHz |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5 V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 5V |
| Диап. темп. хр. | -65 to 150°C |
| Peak collector current icm | 1.5A |
| Напряжение коллектор-база макс. | 45 V |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 45V |
| Junction temperature tj max | 150°C |
| Transition frequency ft typ | 100MHz |
| Dc current gain hfe group 10 | 63-100-160 |
| Dc current gain hfe group 16 | 100-160-250 |
| Total power dissipation ptot | 1.5W |
| Напряжение коллектор-эмиттер макс. | 45 V |
| Base emitter voltage vbeon max | 1V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 45V |
| Dc current gain hfe min 5ma 2v | 25 |
| Base emitter voltage conditions | Ic=500mA, Vce=2V |
| Transition frequency conditions | Ic=50mA, Vce=10V, f=100MHz |
| Collector emitter voltage rbe 1k | 45V |
| Dc current gain hfe min 500ma 2v | 25 |
| Power dissipation temperature ts | 124°C |
| Collector cutoff current icbo 30v | 100nA |
| Dc current gain hfe range 150ma 2v | 40 to 250 |
| Пробивное эмиттер-база | 5V |
| Collector cutoff current icbo 30v 150c | 20µA |
| Напряжение пробоя коллектор-база Vbrcbo | 45V |
| Напряж. пробоя К-Э | 45V |
| Collector emitter saturation voltage conditions | Ic=500mA, Ib=50mA |
| Напряжение насыщения КЭ | 0.5V |
| Thermal resistance junction soldering point rthjs | 17 K/W |