Документация
Транзистор BCP54-16
В наличии
На своём складе
2 330 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 100 | 2,47 |
| от 200 | 2,37 |
| от 400 | 2,31 |
| от 1 000 | 2,27 |
Описание
Транзистор BCP54-16 от KEEN SIDE — биполярный NPN-прибор в компактном SMD-корпусе SOT223. Выдерживает ток коллектора до 1 А и напряжение до 45 В, мощность рассеивания составляет 1,5 Вт. Подходит для схем усиления и коммутации в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN Silicon AF Transistor |
| Маркировка | BCP 54-16 |
| Корпус | SOT223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Base current ib | 100mA |
| Конфиг. выводов | 1=B, 2=C, 3=E, 4=C |
| Complementary types | BCP51...BCP53 (PNP) |
| Макс. ток коллектора | 1 A |
| Peak base current ibm | 200mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.5 W |
| Dc collector current ic | 1A |
| Макс. темп. перехода | 150 °C |
| Мин. частота перехода | 100 MHz |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5 V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 5V |
| Диап. темп. хр. | -65 to 150°C |
| Peak collector current icm | 1.5A |
| Напряжение коллектор-база макс. | 45 V |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 45V |
| Junction temperature tj max | 150°C |
| Transition frequency ft typ | 100 MHz |
| Total power dissipation ptot | 1.5W |
| Напряжение коллектор-эмиттер макс. | 45 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 45V |
| Base emitter voltage vbe on max | 1V |
| Transition frequency conditions | IC=50mA, VCE=10V, f=100MHz |
| Dc current gain hfe min at 5ma 2v | 25 |
| Dc current gain hfe min at 500ma 2v | 25 |
| Dc current gain hfe typ at 150ma 2v | 160 |
| Collector emitter voltage vce rbe 1k | 45V |
| Collector cutoff current icbo max 25c | 100nA |
| Dc current gain hfe range at 150ma 2v | 100 to 250 |
| Collector cutoff current icbo max 150c | 20µA |
| Напряжение насыщения КЭ | 0.5V |
| Thermal resistance junction to soldering point rthjs | 17 K/W |