Документация
BCP54.115 SOT-223 транзистор биполярный NXP (арт. 017516)
У поставщика
ПроизводительNXP
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
198 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:198 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 1000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5,57 |
Описание
BCP54.115 — биполярный NPN-транзистор средней мощности от NXP в компактном корпусе SOT-223. Предназначен для усиления и коммутации в цепях с напряжением до 80 В. Отличается низким напряжением насыщения и высокой нагрузочной способностью, что делает его подходящим для линейных стабилизаторов и драйверов нагрузки.
Технические характеристики
| Тип | NPN bipolar transistor |
| Тип | Биполярный транзистор |
| Маркировка | BCP54 |
| Корпус | SOT-223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Артикул | BCP54 |
| Корпус | SOT-223 |
| Монтаж | SMD |
| Hfe min ic5ma | 63 |
| Hfe min ic500ma | 40 |
| Current base peak | 0.3A |
| Hfe range ic150ma | 63-250 |
| Complementary pair | BCP51 (PNP) |
| Power max 1cm2 pad | 1W |
| Power max 6cm2 pad | 1.35W |
| Current base dc max | 0.3A |
| Current base peak max | 0.3A |
| Пиковый ток коллектора | 1A |
| Base emitter voltage max | 1V at 500mA/2V |
| Base emitter voltage typ | 1V at Uce=2V, Ic=500mA |
| Current collector dc max | 1A |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. частота перехода | 100MHz |
| Transition frequency typ | 180 MHz |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5V |
| Collector capacitance typ | 6 pF at Ucb=10V, Ie=0, f=1MHz |
| Диап. темп. хр. | -65 to 150°C |
| Current collector peak max | 1A |
| Напряжение коллектор-база макс. | 45V |
| Dc current gain hFE min 5mA | 63 |
| Hfe suffix 10 range ic150ma | 63-160 |
| Hfe suffix 16 range ic150ma | 100-250 |
| Диап. раб. темп. | -55 to 150°C |
| Emitter base leakage current | 100 nA (max) at Ueb=5V, Ic=0 |
| Power max standard footprint | 0.65W |
| Transition frequency typical | 180MHz |
| Dc current gain hFE max 150mA | 250 |
| Dc current gain hFE min 150mA | 63 |
| Dc current gain hFE min 500mA | 40 |
| Напряжение коллектор-эмиттер макс. | 45V |
| Collector base capacitance max | 6pF at 10V/1MHz |
| Collector base leakage current | 100 nA (max) at Ucb=30V, Ie=0 |
| Макс. ток отсечки эмиттер-база | 100nA at 5V |
| Макс. ток отсечки К-Б | 100nA at 30V |
| Transition frequency test conditions | 50mA, 5V, 100MHz |
| Collector base cutoff current 125C max | 10µA at 30V |
| Dc current gain hFE 10 suffix max 150mA | 160 |
| Dc current gain hFE 10 suffix min 150mA | 63 |
| Dc current gain hFE 16 suffix max 150mA | 250 |
| Dc current gain hFE 16 suffix min 150mA | 100 |
| Power dissipation 1cm2 pad single sided | 1W |
| Power dissipation 6cm2 pad single sided | 1.35W |
| Collector base leakage current high temp | 10 μA (max) at Ucb=30V, Ie=0, Tj=125°C |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.5V at Ic=500mA, Ib=50mA |
| Saturation voltage collector emitter max | 0.5V at 500mA/50mA |
| Thermal resistance junction solder point | 16K/W |
| Thermal resistance junction ambient 1cm2 pad | 125K/W |
| Thermal resistance junction ambient 6cm2 pad | 93K/W |
| Power dissipation no heatsink single sided pcb | 0.65W |
| Thermal resistance junction ambient standard footprint | 192K/W |