Документация
Транзистор BCP53
В наличии
На своём складе
3 727 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 100 | 2,47 |
| от 200 | 2,37 |
| от 400 | 2,31 |
| от 1 000 | 2,27 |
Описание
Транзистор BCP53 от KEEN SIDE — биполярный PNP-транзистор в корпусе SOT-223 для поверхностного монтажа. Выдерживает ток коллектора до -1 А и базовый ток до -100 мА. Применяется в цепях управления нагрузкой в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP transistor |
| Вывод 1 | base |
| Вывод 2 | collector |
| Вывод 3 | emitter |
| Корпус | SOT-223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Ток базы | -100 mA |
| Размеры a макс. | 1.800mm |
| Размеры b макс. | 0.840mm |
| Размер B мин. | 0.660mm |
| Размеры c макс. | 0.350mm |
| Размер C мин. | 0.230mm |
| Макс. размер D | 6.700mm |
| Мин. размер D | 6.300mm |
| Dimensions e max | 7.300mm |
| Dimensions e min | 6.700mm |
| Dimensions l min | 0.750mm |
| Ток коллектора | -1 A |
| Dimensions a1 max | 0.100mm |
| Dimensions a1 min | 0.020mm |
| Dimensions a2 max | 1.700mm |
| Dimensions a2 min | 1.500mm |
| Dimensions b1 max | 3.100mm |
| Dimensions b1 min | 2.900mm |
| Dimensions e1 max | 3.700mm |
| Dimensions e1 min | 3.300mm |
| Рассеиваемая мощность | 1.5 W |
| Dimensions e pitch | 2.300mm |
| Макс. коэф. усиления DC | 250 |
| Hfe мин. | 25 |
| Напряжение база-эмиттер | -1 В |
| Hfe1 | 25 (at Vce=-2V, Ic=-5mA) |
| Hfe2 | 63-250 (at Vce=-2V, Ic=-150mA) |
| Коэффициент усиления DC hFE3 | 25 (at Vce=-2V, Ic=-500mA) |
| Dimensions theta max | 10° |
| Dimensions theta min | 0° |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Напряжение коллектор-база | -100 В |
| Пиковый импульсный ток базы | -200 mA |
| Граничная частота ft | 100MHz (at Vce=-10V, Ic=-50mA, f=100MHz) |
| Base emitter voltage vbe | -1V (at Vce=-2V, Ic=-500mA) |
| Ток отсечки коллектора | -100 nA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -80 В |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -5V |
| Base current continuous ib | -100mA |
| Hfe classification rank 10 | 63-160 |
| Hfe classification rank 16 | 100-250 |
| Диапазон темп. перехода | -55~+150 ℃ |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -100V |
| Peak pulse base current ibm | -200mA |
| Пиковый импульсный ток коллектора | -2 A |
| Ток отсечки коллектора Icbo | -100nA |
| Junction temperature range tj | -55~+150°C |
| Напряжение пробоя база-эмиттер | -5 В |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -80V |
| Pк | 1.5W |
| Диапазон температур хранения | -55~+150°C |
| Collector current continuous ic | -1A |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -100 В |
| Peak pulse collector current icm | -2A |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -80 В |
| Base emitter breakdown voltage bvebo | -5V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.5 В |
| Collector base breakdown voltage bvcbo | -100V |
| Термосопротивление переход-среда | 94 ℃/W |
| Collector emitter breakdown voltage bvceo | -80V |
| Напряжение насыщения КЭ | -0.5V (at Ic=-500mA, Ib=-50mA) |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 94°C/W |