Документация
BCP53-16 SOT-223 транзистор биполярный HotTech (арт. 106993)
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
5 000 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:5 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 2500
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,95 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор BCP53-16 от HotTech в компактном корпусе SOT-223. Выдерживает ток коллектора до -1 А и напряжение коллектор-эмиттер до -80 В, рассеиваемая мощность — 1,5 Вт. Подходит для схем коммутации и усиления в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Ft | 100MHz |
| Тип | PNP |
| Vcbo | -100V |
| Vceo | -80V |
| Vebo | -5V |
| Макс. ток коллектора | -1000mA |
| Rth JA | 94°C/W |
| Корпус | SOT-223 |
| Vbe max | -1V |
| Icbo макс. | -100nA |
| Тип монтажа | SMD |
| Hfe at 5ma | 25 min |
| Артикул | BCP53-16 |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.5V |
| Ток базы | -100 mA |
| Hfe at 500ma | 25 min |
| Производитель | Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd |
| Complementary | BCP54...BCP56 (NPN) |
| Hfe2 rank range | 100-250 |
| Hfe at 150ma max | 250 |
| Hfe at 150ma min | 63 |
| Ток коллектора | -1 A |
| Hfe rank 16 range | 100-250 |
| Рассеиваемая мощность | 1.5 W |
| Диапазон температур хранения | -55 to +150°C |
| Vcbo breakdown min | -100V |
| Vceo breakdown min | -80V |
| Vebo breakdown min | -5V |
| Classification rank | 16 |
| Complementary types | BCP54, BCP55, BCP56 |
| Макс. коэф. усиления DC | 250 |
| Hfe мин. | 25 |
| Напряжение база-эмиттер | -1 В |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Частота перехода | 100MHz |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.5W |
| Напряжение коллектор-база | -100 В |
| Пиковый импульсный ток базы | -200 mA |
| Base emitter voltage max | -1V |
| Dc current gain hfe1 min | 25 |
| Dc current gain hfe2 max | 250 |
| Dc current gain hfe2 min | 100 |
| Dc current gain hfe3 min | 25 |
| Напряжение эмиттер-база макс. | -5V |
| Ток отсечки коллектора | -100 nA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -80 В |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | -100V |
| Диапазон темп. перехода | -55~+150 ℃ |
| Макс. ток отсечки коллектора | -100nA |
| Пиковый импульсный ток коллектора | -2 A |
| Макс. напр. К-Э | -80V |
| Напряжение пробоя база-эмиттер | -5 В |
| Base emitter voltage condition | V_CE=-2V, I_C=-500mA |
| Dc current gain hfe1 condition | V_CE=-2V, I_C=-5mA |
| Dc current gain hfe2 condition | V_CE=-2V, I_C=-150mA |
| Dc current gain hfe3 condition | V_CE=-2V, I_C=-500mA |
| Transition frequency condition | V_CE=-10V, I_C=-50mA, f=100MHz |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -100 В |
| Макс. пост. ток коллектора | -1A |
| Breakdown voltage emitter base min | -5V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -80 В |
| Breakdown voltage collector base min | -100V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.5 В |
| Термосопротивление переход-среда | 94°C/W |
| Breakdown voltage collector emitter min | -80V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | -0.5V |
| Collector emitter saturation voltage condition | I_C=-500mA, I_B=-50mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?