Документация
Транзистор BCP53-16
В наличии
На своём складе
3 400 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 100 | 2,49 |
| от 200 | 2,39 |
| от 400 | 2,33 |
| от 1 000 | 2,29 |
Описание
Транзистор биполярный PNP BCP53-16 от KEEN SIDE. Выполнен в корпусе SOT-223 для поверхностного монтажа, рассчитан на ток коллектора до -1 А и рассеиваемую мощность 1,5 Вт. Коэффициент усиления по току (hFE) составляет 100–250. Подходит для коммутации нагрузки и усиления сигналов в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP transistor |
| Корпус | SOT-223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Артикул | BCP53-16 |
| Ток базы | -100 mA |
| Ток коллектора | -1 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.5 W |
| Классификация hFE | 100-250 |
| Размеры упаковки | A max: 1.800mm; B max: 0.840mm; B min: 0.660mm; C max: 0.350mm; C min: 0.230mm; D max: 6.700mm; D min: 6.300mm; E max: 7.300mm; E min: 6.700mm; L min: 0.750mm; A1 max: 0.100mm; A1 min: 0.020mm; A2 max: 1.700mm; A2 min: 1.500mm; B1 max: 3.100mm; B1 min: 2.900mm; E1 max: 3.700mm; E1 min: 3.300mm; E pitch: 2.300mm; Theta max: 10°; Theta min: 0° |
| Complementary types | BCP54...BCP56 (NPN) |
| Макс. коэф. усиления DC | 250 |
| Hfe мин. | 25 |
| Напряжение база-эмиттер | -1V |
| Hfe1 | 25 |
| Hfe2 | 100-250 |
| Коэффициент усиления DC hFE3 | 25 |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Частота перехода | 100MHz |
| Напряжение коллектор-база | -100 В |
| Base current continuous | -100mA |
| Base current peak pulse | -200mA |
| Пиковый импульсный ток базы | -200 mA |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Напряжение эмиттер-база макс. | -5V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| Ток отсечки коллектора | -100nA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -80 В |
| Напряжение коллектор-база макс. | -100V |
| Диапазон темп. перехода | -55~+150 ℃ |
| Мощн. коллектора | 1.5W |
| Непрерывный ток коллектора | -1A |
| Collector current peak pulse | -2A |
| Пиковый импульсный ток коллектора | -2 A |
| Макс. напр. К-Э | -80V |
| Напряжение пробоя база-эмиттер | -5V |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -100V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -80V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.5V |
| Термосопротивление переход-среда | 94°C/W |