ТРАНЗИСТОРЫ BCP53-16,115, Биполярный транзистор NEXPERIA, PNP, 80 В, 1 А, 1 Вт, корпус SOT-223
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
2 724 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 724 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 36 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 19,99 |
| от 296 | 18,26 |
| от 591 | 17,10 |
| от 1 000 | 16,09 |
| от 3 000 | 15,42 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор BCP53-16,115 от NEXPERIA рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер до 80 В и ток коллектора до 1 А с рассеиваемой мощностью 1,5 Вт. Компонент выполнен в компактном корпусе SOT-223 и имеет коэффициент усиления по току от 25 до 250. Подходит для применения в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-223 |
| Ток базы | -100 mA |
| Ток коллектора | -1 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.5 W |
| Макс. коэф. усиления DC | 250 |
| Hfe мин. | 25 |
| Напряжение база-эмиттер | -1 В |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Напряжение коллектор-база | -100 В |
| Пиковый импульсный ток базы | -200 mA |
| Ток отсечки коллектора | -100 nA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -80 В |
| Диапазон темп. перехода | -55~+150 ℃ |
| Пиковый импульсный ток коллектора | -2 A |
| Напряжение пробоя база-эмиттер | -5 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -100 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -80 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.5 В |
| Термосопротивление переход-среда | 94 ℃/W |
| Тип | BJT |
| Тип монтажа | SMD |
Заметили ошибку в описании или параметрах?